公开(公告)号：CN117980534A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280027186.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： H·钱德拉 ,  李明 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  H·金 ,  黄秉槿 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(

公开(公告)号：CN111295465B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201880071503.4

申请日：2018-09-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 李明 ,  雷新建 ,  R·N·维蒂斯 ,  R·G·里奇韦 ,  萧满超

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C07F7/08

Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：

公开(公告)号：CN113518834A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080017710.9

申请日：2020-02-03

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  M·R·麦克唐纳 ,  萧满超 ,  李明 ,  王美良

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

Abstract: 本文描述了用于形成含硅膜的前体和方法。在一个方面中，提供了如本文所述的式(I)的前体。

公开(公告)号：CN111295465A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071503.4

申请日：2018-09-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 李明 ,  雷新建 ,  R·N·维蒂斯 ,  R·G·里奇韦 ,  萧满超

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C07F7/08

Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：

公开(公告)号：CN113748226A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080030622.2

申请日：2020-04-17

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  李明 ,  M·R·麦克唐纳 ,  王美良

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 使用至少一种具有以下式I的有机氨基二硅氮烷前体在高于500℃的温度下进行用于形成氧化硅的原子层沉积(ALD)工艺：其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基，条件是R1和R2不能都是氢；R3选自氢、直链或支链C1至C10烷基和C6至C10芳基；和R1和R2连接形成环状环结构或R1和R2不连接形成环状环结构。

公开(公告)号：CN115992345A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211551636.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 李明 ,  雷新建 ,  R·N·维蒂斯 ,  R·G·里奇韦 ,  萧满超

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/36 ,  C23C16/50

Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：

公开(公告)号：CN114174555A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080053340.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： R·N·弗蒂斯 ,  R·G·里德格韦 ,  雷新建 ,  李明 ,  萧满超

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用该组合物的方法。在一个方面，使用包含C‑C双键或C‑C三键的至少一种第一化合物的共沉积来沉积所述含硅膜。

公开(公告)号：CN119983873A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510245978.2

申请日：2025-02-28

Applicant: 深圳三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 赵广鑫 ,  李明

IPC: F28D15/02 ,  F28F9/26

Abstract: 本申请涉及一种相变散热器，包括：基座，在基座的延伸平面内限定相互垂直的宽度方向和长度方向，基座具有存储腔，存储腔内储存相变介质；散热齿片，散热齿片支撑于基座的顶部，散热齿片沿宽度方向等间隔地排列，散热齿片内具有流通道；其中，散热齿片包括：沿宽度方向间隔设置的第一齿片和第二齿片，连接于第一齿片和第二齿片的底部的连接部和连通部，连通部将存储腔和流通道连通，第一齿片和第二齿片沿着长度方向和垂直于基座的延伸平面的高度方向延伸；连通部包括与存储腔连通的第一连通部，以及连接于第一连通部和流通道之间的第二连通部，其中，第一连通部在长度方向上偏置于第二连通部。

公开(公告)号：CN118139327A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410239220.3

申请日：2024-03-01

Applicant: 深圳三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 刘森 ,  刘文秀 ,  李明 ,  王玉梅

IPC: H05K5/02 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供了一种通信设备，包括：壳体，壳体内形成中空腔体；电路板，装设于中空腔体内，电路板包括第一发热元件和第二发热元件，其中，第一发热元件散发的热量大于第二发热元件散发的热量；连接器，经由法兰装设于壳体的外表面，连接器与电路板电连接；壳体包括彼此相接的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁的外表面具有第一散热元件，第一发热元件与第一侧壁连接形成第一热传导路径，以经由第一散热元件散发第一发热元件的热量；连接器装设于第二侧壁，第二发热元件与法兰连接形成第二热传导路径，以经由法兰散发第二发热元件的热量；其中，第二发热元件与第一侧壁间隔设置。

公开(公告)号：CN117222184A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311058146.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 深圳三星通信技术研究有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 许洋洋 ,  刘文秀 ,  高飞 ,  赵广鑫 ,  马义伟 ,  李明 ,  丁乙苧

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种相变散热装置和通信设备，包括：基板，其具有第一中空腔体；多个齿片阵列，每个齿片阵列包括至少两个齿片，至少两个齿片沿着第一延伸方向间隔排列，每个齿片内具有第二中空腔体，齿片的第二中空腔体通过位于齿片外侧的连接部连通；齿片包括在第一延伸方向上位于齿片阵列两端的第一齿片和第二齿片，第一齿片的底部具有与其第二中空腔体连通的第一入口，第二齿片的底部具有与其第二中空腔体连通的第一出口，每个齿片阵列通过第一入口和第一出口固定连接于基板，且第二中空腔体经由第一入口和第一出口与第一中空腔体连通；基板吸收发热元件的热量，以使工质在第一中空腔体和第二中空腔体内发生相变循环，以将热量经由齿片散发。