公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN111943978A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L51/00

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

公开(公告)号：CN111943978B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：