公开(公告)号：CN117980534A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280027186.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： H·钱德拉 ,  李明 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  H·金 ,  黄秉槿 ,  黄宣惠 ,  曹仑廷

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(

公开(公告)号：CN116288249B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202310271730.4

申请日：2019-08-09

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  R·N·弗蒂斯 ,  R·G·里德格韦 ,  W·R·恩特雷 ,  J·L·A·阿赫蒂尔 ,  雷新建 ,  D·P·思朋斯

IPC: C23C16/40 ,  C07F7/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

Abstract: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。

公开(公告)号：CN115584491B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202211350727.3

申请日：2018-02-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  D·P·思朋斯 ,  王美良 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/455 ,  C07F7/10 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN118786243A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380022696.5

申请日：2023-01-25

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  H·钱德拉 ,  雷新建 ,  M·R·麦克唐纳 ,  M·科恩 ,  P·巴格里

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C07F7/10 ,  C23C16/44

Abstract: 公开了根据式A和B的卤素官能化环三硅氮烷前体化合物，以及使用该化合物的方法，其用于通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺及其组合来沉积含硅膜，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳氮化硅或碳掺杂氧化硅。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117561349A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280045334.3

申请日：2022-05-16

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： W·R·恩特雷 ,  J·L·A·阿赫特伊勒 ,  雷新建 ,  萧满超 ,  D·P·思朋斯 ,  R·G·里德格韦 ,  R·N·维蒂斯

IPC: C23C16/40

Abstract: 一种用于制备具有改进的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物引入反应室中；并向反应室中的包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.70至～3.50的介电常数、～6至～32GPa的弹性模量和通过XPS测量的～10至～35原子％的碳。

公开(公告)号：CN114556527A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080073062.9

申请日：2020-09-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  W·R·恩特雷 ,  D·P·思朋斯 ,  R·N·弗蒂斯 ,  J·L·A·阿赫特伊勒 ,  R·G·里德格韦 ,  雷新建

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/00 ,  B05D3/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505

Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.8至约3.3的介电常数、约7至约30GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。

公开(公告)号：CN110023535B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201780074937.5

申请日：2017-10-25

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  D·P·思朋斯 ,  R·何

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/48 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。

公开(公告)号：CN109804101B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201780063517.7

申请日：2017-10-13

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 王美良 ,  雷新建 ,  萧满超 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

Abstract: 本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由至少一种前体沉积，其中所述至少一种前体具有由式A表示的结构，其中R、R1、R2、R3、R4和R5如本文所定义。

公开(公告)号：CN104672265B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201410486674.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  R·霍 ,  H·钱德拉 ,  M·R·麦克唐纳德 ,  王美良

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513

Abstract: 本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A‑E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。

公开(公告)号：CN104876957B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201510091650.6

申请日：2015-02-28

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳德 ,  R·霍 ,  雷新建

IPC: C07F7/10

Abstract: 有机氨基硅烷，例如但不限于二异丙基氨基硅烷(DIPAS)，是用于沉积含硅薄膜例如二氧化硅和氮化硅薄膜的前体。本文描述了通过包含氢化硅烷的硅源经由亚胺的催化氢化硅烷化制备有机氨基硅烷化合物或其他化合物例如有机氨基乙硅烷和有机氨基碳硅烷的方法。