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公开(公告)号:CN112341489A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202010585301.0
申请日:2020-06-23
Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法,所述化合物由以下通式I表示:[通式I]其中,在通式I中,R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基,R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基,并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。
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公开(公告)号:CN113402544A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110210695.6
申请日:2021-02-25
IPC: C07F9/09 , C07F9/00 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法,该有机金属加成化合物由通式(I)表示:通式(I)在通式(I)中,R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基,R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基,M为铌原子、钽原子或钒原子,X为卤素原子,m为3至5的整数,并且n为1或2。
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公开(公告)号:CN112341489B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202010585301.0
申请日:2020-06-23
Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法,所述化合物由以下通式I表示:[通式I]#imgabs0#其中,在通式I中,R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基,R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基,并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。
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