公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN106977540A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN113402544A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110210695.6

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金在员 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  青木雄太郎 ,  内生藏广幸 ,  布施若菜

IPC: C07F9/09 ,  C07F9/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法，该有机金属加成化合物由通式(I)表示：通式(I)在通式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。

公开(公告)号：CN111943978A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L51/00

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]

公开(公告)号：CN106977540B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN111943978B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN112341489B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：

公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。

公开(公告)号：CN111471068A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911395054.1

申请日：2019-12-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金铭云 ,  金润洙 ,  李相益 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  赵峻希 ,  蔡元默

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/18

Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]