公开(公告)号：CN106977540B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN109134546B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN109134546A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810556182.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  林载顺 ,  尹至恩 ,  斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/30 ,  C07F11/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R1、R2及R3独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R4及R5独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R1及R2各有两个。两个R1彼此独立，且两个R2彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

公开(公告)号：CN106977540A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610994787.7

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  小出幸宜 ,  山田直树 ,  白鸟翼

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。

公开(公告)号：CN110831950B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201880042110.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F17/00 ,  C07F11/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供下述通式(1)表示的钨化合物(式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基；但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部为甲基且R6为叔丁基时，R7表示碳数1～3或5的烷基)。

公开(公告)号：CN109154080A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。

公开(公告)号：CN109154080B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。

公开(公告)号：CN110831950A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880042110.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋藤昭夫 ,  白鸟翼 ,  青木雄太郎

IPC: C07F17/00 ,  C07F11/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供下述通式(1)表示的钨化合物(式中，X表示卤原子，R1～R5各自独立地表示氢原子或碳数1～5的烷基，R6表示叔丁基或叔戊基，R7表示碳数1～5的烷基；但是，当R1～R5全部为氢原子且R6为叔丁基时、以及当R1～R5全部为甲基且R6为叔丁基时，R7表示碳数1～3或5的烷基)。