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公开(公告)号：CN103019050B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201210357232.3
申请日：2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号：CN106959586A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611121178.7
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C07C381/12 , C08G77/48 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0751 , G03F7/0758 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , G03F1/76 , G03F7/004
Abstract: 公开光刻胶组合物和制造图案化器件的方法。所述光刻胶组合物包括：包括结合有含硅离去基团的重复单元的光刻胶聚合物、包括氟化锍的光致产氟剂、和溶剂。
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公开(公告)号：CN101398624B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810165695.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/028 , G03F7/004 , C07C321/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/65 , C07C381/12 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1-C10烷基，X为与S+形成环的C3-C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5-S+A-中的至少一种代替，其中R5为C1-C10烷基，且A-为平衡离子。(式1)，(式2)。
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公开(公告)号：CN101458461A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810183747.X
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。
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公开(公告)号：CN1684229A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064908.X
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了包括自组装分子层的掩膜图案、形成它的方法和制造半导体器件的方法。掩膜图案包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。为形成掩膜图案，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开孔的抗蚀图案以暴露底层至第一宽度。然后，在抗蚀图案的表面上选择性地形成自组装分子层以暴露底层至比第一宽度小的第二宽度。使用抗蚀图案和自组装分子层作为蚀刻掩膜蚀刻底层，从而得到精细图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115547426A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210680043.3
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种估计溶解度的方法和系统。该方法包括：获得表示目标材料的化学结构的输入数据；基于输入数据生成至少一个描述符；通过将至少一个描述符提供给基于样品材料的化学结构和样品溶解度参数训练的机器学习模型来获得至少一个溶解度参数；以及基于至少一个溶解度参数计算溶解度，其中，至少一个描述符包括各自表示目标材料的化学结构的零维描述符、一维描述符、二维描述符和三维描述符中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110075713B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201811265066.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。
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公开(公告)号：CN108181787A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711297243.6
申请日：2017-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , C08F12/24 , C08F20/18 , C08F112/14 , C08F120/28 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/26 , H01L21/0274 , G03F1/76 , G03F7/004 , G03F7/11
Abstract: 一种光致抗蚀剂组合物包含感光性聚合物以及光酸产生剂，所述感光性聚合物包含聚合物链及偶合到所述聚合物链的至少一个第一官能团。所述第一官能团具有由以下化学式1表示的结构，[化学式1] 其中R1为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且R2为-H、-F、-Cl、-Br、碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个。上述的光致抗蚀剂组合物具有高感光性。
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公开(公告)号：CN1752844B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机-无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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