公开(公告)号：CN115206762A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210371327.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  金教赫 ,  金泰和 ,  朴海重 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于等离子体蚀刻的装置，该装置具有：静电卡盘，包括基层、接合层、吸附层以及边缘环，该吸附层包括在接合层上并与衬底的下表面接触的多个突起，该边缘环与衬底的横向表面间隔开并围绕衬底的横向表面；多个冷却剂供应器，在多个突起之间注入冷却剂；多个管道，将冷却剂供应给多个冷却剂供应器以使冷却剂沿预定方向循环；冷却设备，其中等离子体蚀刻工艺包括第一操作和第二操作，其中注入冷却剂以使静电卡盘在第一操作期间达到第一温度，并在第二操作期间达到第二温度；以及控制器，控制与多个管道连接的阀门以确定冷却剂的循环方向。

公开(公告)号：CN111834189A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

公开(公告)号：CN111430208A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN110823864A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910628289.4

申请日：2019-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇

IPC: G01N21/73 ,  H01J37/32

Abstract: 一种光学发射光谱系统可以包括：参考光源；分析器，用于接收和分析从参考光源发射的光；以及校准器，用于校准从参考光源发射的光。校准器可以根据光的入射角改变校准比率。

公开(公告)号：CN107527782A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710325905.X

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  林龙浩 ,  全允珖 ,  郑和俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

公开(公告)号：CN111180303B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN110320183B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910160116.4

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  具滋明 ,  黄载雄 ,  安宗焕

IPC: G01N21/63

Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。

公开(公告)号：CN110867364B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201910625718.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬勋 ,  文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  金东规

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体监测装置，包括：物镜，被配置为收集从等离子体发射并穿过腔室的光学窗口的光；第一分束器，被配置为将由物镜收集的光分成第一光和第二光；第一光学系统和第二光学系统，分别设置在第一光的第一光路和第二光的第二光路上，第一光学系统和第二光学系统具有不同的焦距，使得第一光学系统和第二光学系统的焦点设置在等离子体中的不同区域；以及光检测器，被配置为检测已经穿过第一光学系统的第一光和已经穿过第二光学系统的第二光。

公开(公告)号：CN111834189B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202010074502.4

申请日：2020-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟宇 ,  宋仁哲 ,  尹洪珉 ,  林智贤 ,  友安昌幸 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种半导体基底处理设备。半导体基底处理设备包括：壳体，包围工艺室；等离子体源单元，连接到壳体，并包括喷头和定位为支撑喷头的固定环，喷头包括安装在固定环上的上电极，并包括穿过上电极的部分并被构造为将气体注入到工艺室中的注入孔；静电吸盘，连接到壳体并包括下电极，并且用于使半导体基底安装在其上；以及环单元，安装在静电吸盘的边缘部分上，并包括聚焦环和围绕聚焦环的覆盖环。聚焦环具有内侧表面和接触覆盖环的相对的外侧表面，聚焦环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第一宽度。覆盖环具有接触聚焦环的外侧表面的内侧表面和外侧表面，覆盖环的内侧表面和外侧表面之间的宽度是第二宽度。第一宽度是第二宽度的2倍至10倍。

公开(公告)号：CN111430207A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。