公开(公告)号：CN110320183B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910160116.4

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  具滋明 ,  黄载雄 ,  安宗焕

IPC: G01N21/63

Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。

公开(公告)号：CN110320183A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910160116.4

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  具滋明 ,  黄载雄 ,  安宗焕

IPC: G01N21/63

Abstract: 提供了一种光学发射光谱仪(OES)的校准器。该OES的校准器可以包括盖、参考光源和控制器。盖可以与等离子体处理设备的等离子体腔室的顶板可拆卸地结合。参考光源可以安装在盖处，以通过等离子体腔室的内部空间向OES照射参考光。控制器可以将入射到OES的参考光的光谱与在等离子体腔室中的等离子体处理期间输入到OES的实际光的光谱进行比较以校准OES。因此，可以在不从等离子体室拆卸OES的情况下校准OES，以减少用于校准OES的时间。

公开(公告)号：CN110752133B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910639176.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光男 ,  金成妍 ,  金亨俊 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  洪定杓

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。

公开(公告)号：CN111383949B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN201910869816.0

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬勋 ,  文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。

公开(公告)号：CN110752133A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910639176.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光男 ,  金成妍 ,  金亨俊 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  洪定杓

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。

公开(公告)号：CN110729224A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910138038.8

申请日：2019-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光男 ,  金秉熙 ,  金正律 ,  朴海重 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  郑盛旭 ,  赵南泳 ,  洪定杓

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中，装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。

公开(公告)号：CN109559967A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811117706.0

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  宣钟宇 ,  韩奎熙 ,  许桄熀 ,  韩济愚

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

公开(公告)号：CN110823864B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201910628289.4

申请日：2019-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇

IPC: G01N21/73 ,  H01J37/32

Abstract: 一种光学发射光谱系统可以包括：参考光源；分析器，用于接收和分析从参考光源发射的光；以及校准器，用于校准从参考光源发射的光。校准器可以根据光的入射角改变校准比率。

公开(公告)号：CN111383949A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910869816.0

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬勋 ,  文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。

公开(公告)号：CN111211044A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910754012.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  李成基 ,  李在铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。