公开(公告)号：CN115997338A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202080104977.1

申请日：2020-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  美科陶瓷科技有限公司

Inventor： 郑明燮 ,  徐峻源 ,  金成烈 ,  林成龙 ,  陈厦东 ,  崔宰炫

IPC: H02N13/00

Abstract: 公开了一种能够在晶圆的整个表面上进行均匀等离子体处理的基座及其制造方法。提供一种基座，包括：电介质板，具有上面装载有晶圆的上表面和面对上表面的下表面；以及埋置于电介质板中的内部RF电极和外部RF电极，其中，相对于下表面，内部RF电极埋置于其中的第一平面的高度小于外部RF电极埋置于其中的第二平面的高度。

公开(公告)号：CN111430208B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN111430208A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN116364513A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211629767.1

申请日：2022-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈厦东 ,  高时永 ,  金南均 ,  李庆旼 ,  林成龙 ,  金成烈 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。