公开(公告)号：CN101546716A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129118.3

申请日：2009-03-25

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 谷口春隆 ,  池田良成

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/34 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/01 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/145 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/0405 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，其目的是提高半导体装置的可靠性和制造成品率。准备第一电极和第二电极通过绝缘层被分离的半导体元件，在金属箔上配置焊接材料，在焊接材料上以第三电极与其接触的方式载置半导体元件。此外，使片状的焊接材料与半导体元件的第一电极和第二电极相对，使柱电极的下端隔着焊接材料与第一电极上表面和第二电极上表面相对。而且，使焊接材料隔着绝缘层分离，通过焊接材料使第一电极与柱电极接合，并且通过焊接材料使第二电极与柱电极接合。此外，通过焊接材料使第三电极与金属箔接合。由此，能够提高半导体装置的可靠性和制造成品率。

公开(公告)号：CN100517669C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510074946.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 内山拓 ,  冲田宗一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的在向外部导出的控制端子上使用弹簧端子的半导体装置中，可以自由地设定弹簧端子的配置位置。将向盒2外侧导出的弹簧端子8保持在设置于盒2内的框架15上，据此，可以使弹簧端子8在盒2内侧任意的位置上配置。弹簧端子8在被框架15保持的状态下，在盒内基板12的电极上焊接接合，而用于焊接接合的盒内基板12的接近，借助框架15上形成的开口部18实现。

公开(公告)号：CN101453203A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810182939.9

申请日：2008-12-05

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中森昭 ,  森贵浩 ,  山崎智幸

IPC: H03K17/16 ,  G05F3/24

CPC classification number: H03K17/168 ,  H03K17/163 ,  H03K2217/0036

Abstract: 本发明提供一种驱动电路，其无需在功率器件的栅极上连接电容器和电阻的串联电路，就能够降低损失和噪声，并能够提高驱动能力。在驱动电路中，设置有对IGBT(43)的栅极电压波形进行设定的斜率设定电路(13)，将斜率设定电路(13)的输出电压(V*)输入运算放大器(14)的同相输入端子，并将由电阻(15、16)分压的电压(Vgsf)输入运算放大器(14)的倒相输入端子，使得从运算放大器(14)输出与斜率设定电路(13)的输出电压(V*)和由电阻(15、16)分压的分压电压(Vgsf)的偏差成比例的输出电压(Vout)，并将其输入IGBT(43)的栅极端子。

公开(公告)号：CN101350618A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810109852.9

申请日：2008-05-30

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 原田祐一 ,  伊仓巧裕 ,  渡边泰正 ,  上野胜典

IPC: H03K19/0185 ,  H01L21/784

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明提供了一种即便在过量负电压或ESD浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的n沟道MOSFET构成，并且电平移动电阻器与限流电阻器之间的部分是电平上移电路的输出部。通过设置限流电阻器，因过量负电压或ESD浪涌而流动的电流被抑制，由此防止电平移动电流失效或故障。

公开(公告)号：CN101350365A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810131543.1

申请日：2008-07-11

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 新村康 ,  小林孝 ,  井上正范 ,  大西泰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/38 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41741 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。

公开(公告)号：CN100437374C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480026751.5

申请日：2004-10-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 坪田敏雄 ,  松沢新司

IPC: G03G15/08

CPC classification number: G03G15/0818

Abstract: 一种电子照相显影滚筒，其中在圆筒金属基体和金属凸缘之间的压合部分中的气密性以及导电性良好，且外径偏移精度也良好；并且提供一种相对廉价，在机械硬度、表面可处理性以及镀膜成形(抗腐蚀性)方面优良且能够满足预定尺寸精度的电子照相显影滚筒。电子照相显影滚筒是一种具有圆筒金属基体和金属凸缘的显影滚筒。金属凸缘具有要装配到圆筒金属基体的开口端内表面的较大直径部分以及用作与圆筒金属基体同轴的中央轴体的较小直径部分。在压配之前较大直径部分的压合部分表面具有不平坦的形状，从而由于通过切削处理而形成的圆周形纹沟所导致的最大表面粗糙度Ry为25μm到70μm。

公开(公告)号：CN101305470A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042224.2

申请日：2006-11-13

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 根本道生

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/263 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 在将氧引入作为N－型第一半导体层的N－型FZ晶片(10)后，P型第二半导体层(2)和阳极(4)在该FZ晶片(10)的表面上形成。该FZ晶片(10)从该阳极(4)一侧进行质子辐照，从而将晶格缺陷(12)引入该FZ晶片(10)。通过执行热处理恢复在该FZ晶片(10)中的晶格缺陷(12)，使在第一半导体层中一部分的净掺杂浓度比FZ晶片(10)的初始净掺杂浓度高，且形成所期望的宽缓冲结构。用这种方法，可以使用FZ体晶片便宜地制造具有快速运行和低的损耗，且具有软开关特性的半导体器件，且具有好的可控性和产率。

公开(公告)号：CN100405465C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200580001167.9

申请日：2005-03-14

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 渡边贞幸 ,  酒井泰志

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种可以同时实现低噪音和高稳定性的垂直磁记录媒体。该垂直记录媒体，由在非磁性基体(1)上至少依次层叠了基底层(4)、磁记录层(5)、保护层(6)和润滑剂层(7)而构成，其中，基底层由从Ru、Rh、Os、Ir或Pt中选择的至少一种元素构成，磁记录层为粒状结构，其组成比为(Co100-a-b-cPtaCrbBc)100-dMd。其中，M为从Cr、Al、Ti、Si、Ta、Hf、Zr、Y、Ce中至少一种元素的氧化物或氮化物，0＜a≤40、2≤b≤12、0.5≤c≤5、4≤d≤12。在非磁性基体与基底层之间，也可以形成软磁性衬垫层(2)和晶种层(3)。

公开(公告)号：CN101197538A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710198840.3

申请日：2007-12-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 江户雅晴 ,  广濑隆之

IPC: H02M3/155 ,  H01F30/00 ,  H01F17/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F27/29 ,  H01F27/40 ,  H01F2027/2819 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明的目的是提供一种微型功率变换器，其中薄膜磁感应元件的电感值被提高，而电极处出现的感生电压被减小。形成于铁氧体衬底11的第一主平面和第二主平面的周边区域中的电极15a、15b集中配置在与螺管线圈的轴平行的方向上的相对的两侧上。在形成于具有相同尺寸的铁氧体衬底11上的线圈中，可增加线圈的长度，而且可增大线圈的电感值。具有缝隙配置的间隙(未在图1中示出)被设置在铁氧体衬底11的外周边区域中，这减小了出现在电极15a、15b中的感生电压。

公开(公告)号：CN101065712A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580028356.5

申请日：2005-08-26

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 仁科努 ,  中村洋一

IPC: G03G5/147 ,  G03G5/05

CPC classification number: G03G5/14773 ,  G03G5/0507 ,  G03G5/051 ,  G03G5/0514 ,  G03G5/0567 ,  G03G5/0578 ,  G03G5/14704 ,  G03G5/14708 ,  G03G5/1476

Abstract: 提供一种用于电子照相的高耐久的光敏制品，该制品具有润滑性优良的表面，不易划伤或损伤，并且没有发生因形成膜等而造成的图像缺陷，其调色剂的脱模性能良好。所述用于电子照相的光敏制品具有导电基底、在其上的至少一层光敏层，该光敏制品在其最外层含有包封有润滑油的微胶囊。微胶囊较好包含无机多孔颗粒或有机聚合物材料，所述润滑油较好是硅油或含氟油。