公开(公告)号：CN101494223A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910009888.4

申请日：2009-01-22

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 根本道生 ,  中泽治雄

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/102 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/263 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N+第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P+集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N+第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P+集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。

公开(公告)号：CN101305470A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042224.2

申请日：2006-11-13

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 根本道生

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/263 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 在将氧引入作为N－型第一半导体层的N－型FZ晶片(10)后，P型第二半导体层(2)和阳极(4)在该FZ晶片(10)的表面上形成。该FZ晶片(10)从该阳极(4)一侧进行质子辐照，从而将晶格缺陷(12)引入该FZ晶片(10)。通过执行热处理恢复在该FZ晶片(10)中的晶格缺陷(12)，使在第一半导体层中一部分的净掺杂浓度比FZ晶片(10)的初始净掺杂浓度高，且形成所期望的宽缓冲结构。用这种方法，可以使用FZ体晶片便宜地制造具有快速运行和低的损耗，且具有软开关特性的半导体器件，且具有好的可控性和产率。