公开(公告)号：CN101350365A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810131543.1

申请日：2008-07-11

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 新村康 ,  小林孝 ,  井上正范 ,  大西泰彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/38 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41741 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。

公开(公告)号：CN101345254A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810125902.2

申请日：2008-06-03

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 新村康 ,  小林孝 ,  井上正范 ,  大西泰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41741 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种传导层，该传导层在p型保护环上形成且绝缘薄膜介于它们之间以便与相应的p型保护环连接。每个传导层的内端部凸出于直接内接的p型保护环之上。p型保护环的杂质浓度被设置在n型半导体衬底杂质浓度和p阱区杂质浓度之间。结果，p型保护环可以被缩短且芯片大小可被减小。此外，该器件可被制成对外来电荷较不敏感。