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公开(公告)号：CN100405465C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200580001167.9
申请日：2005-03-14
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种可以同时实现低噪音和高稳定性的垂直磁记录媒体。该垂直记录媒体，由在非磁性基体(1)上至少依次层叠了基底层(4)、磁记录层(5)、保护层(6)和润滑剂层(7)而构成，其中，基底层由从Ru、Rh、Os、Ir或Pt中选择的至少一种元素构成，磁记录层为粒状结构，其组成比为(Co100-a-b-cPtaCrbBc)100-dMd。其中，M为从Cr、Al、Ti、Si、Ta、Hf、Zr、Y、Ce中至少一种元素的氧化物或氮化物，0＜a≤40、2≤b≤12、0.5≤c≤5、4≤d≤12。在非磁性基体与基底层之间，也可以形成软磁性衬垫层(2)和晶种层(3)。
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公开(公告)号：CN1860530A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200580001167.9
申请日：2005-03-14
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种可以同时实现低噪音和高稳定性的垂直磁记录媒体。该垂直记录媒体，由在非磁性基体(1)上至少依次层叠了基底层(4)、磁记录层(5)、保护层(6)和润滑剂层(7)而构成，其中，基底层由从Ru、Rh、Os、Ir或Pt中选择的至少一种元素构成，磁记录层为粒状结构，其组成比为(Co100－a－b－cPtaCrbBc)100－dMd。其中，M为从Cr、Al、Ti、Si、Ta、Hf、Zr、Y、Ce中至少一种元素的氧化物或氮化物，0＜a≤40、2≤b≤12、0.5≤c≤5、4≤d≤12。在非磁性基体与基底层之间，也可以形成软磁性推进层(2)和晶种层(3)。
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公开(公告)号：CN100517471C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510084478.8
申请日：2005-07-07
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/85
Abstract: 本发明的目标是提供垂直介质，像生产连续膜介质的传统工艺那样，用简单方法形成底层的隔离结构，它能抑制排列的分散度，减小磁记录层中的磁簇尺寸。垂直介质还因底层膜的厚度较薄而具有较高的记录密度。垂直磁性记录介质是包含依次层压在非磁性基材上的至少一个底层和一个磁性记录层。底层由晶粒和无定形晶粒边界组成，晶粒的形状满足如下关系：(生长起始阶段底部区域的面积)＞(顶部区域的面积)。
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公开(公告)号：CN101145351B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710152803.9
申请日：2007-09-12
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种具有改进介质性能的垂直双层磁性记录介质，并且由软磁性垫层导致的噪声被减小，以及由于外部磁场的影响而不会导致被记录磁化的擦除。垂直磁性记录介质具有按如下顺序的非磁性衬底、软磁性垫层、非磁性耦合层、硬磁性钉扎层、非磁性中间层和磁性记录层，其中软磁性垫层和硬磁性钉扎层在常温下经由非磁性耦合层反铁磁性地耦合在一起，并且硬磁性钉扎层的易磁化轴垂直于非磁性衬底的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101663705A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012609.3
申请日：2008-03-06
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，能够在不减损热稳定性的情况下更容易地在该介质上执行记录。该垂直磁记录介质中，在非磁性基体(1)上按顺序至少层积软磁性背衬层(2)、底层(3)和磁性记录层。该磁性记录层至少具有第一磁性记录层(5)、第二磁性记录层(7)和第三磁性记录层(8)。在第一磁性记录层(5)和第二磁性记录层(7)之间形成耦合层(6)。中间夹有耦合层(6)的第一磁性记录层(5)和第二磁性记录层(7)铁磁耦合并且具有粒状结构。第一磁性记录层(5)、第二磁性记录层(7)和第三磁性记录层(8)在垂直于该非磁性基体表面的方向上具有易磁化轴。
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公开(公告)号：CN100570715C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510083319.6
申请日：2005-07-05
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种垂直磁记录介质，通过减弱转换场提高易记录性，而不会破坏热稳定性。本发明的垂直磁记录介质中包括第一磁记录层5和第二磁记录层7，其间插入耦合层6，使两者铁磁耦合。第一和第二磁记录层在Hk1＞Hk2时满足不等式Ku1T1＞Ku2T2，在Hk1＜Hk2时满足不等式Ku1T1＜Ku2T2，其中Hk1和Hk2是各向异性磁场强度，Ku1和Ku2是单轴各向异性常数，T1和T2分别是第一和第二磁记录层的厚度。磁记录层之间的交换耦合能量优选是至少5×10-3尔格/平方厘米。耦合层优选主要由选自V，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Nb，Mo，Ru，Rh，Ta，W，Re和Ir的一种材料构成，厚度不超过2纳米。优选至少一个磁记录层具有颗粒结构。
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公开(公告)号：CN100559476C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200410086640.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 本发明涉及安装在各种磁记录设备上的垂直磁记录介质和制造该介质的方法。本发明的目的是通过增强信号输出和降低噪声来提高S/N(信号输出与噪声之比)。本发明的另一个目的是提供适合大规模生产的简单的制造方法，并且通过提高记录分辨率提供一种高记录密度的介质。在本发明的垂直磁记录介质中，在磁记录层中的每个磁性晶粒具有多层叠层结构，并且具有类似截锥形的构形，其中在最终阶段沉积在薄膜表面侧的最终层的晶粒的直径小于在初始阶段沉积在衬底侧的初始层的晶粒的直径。
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公开(公告)号：CN101162587A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710152990.0
申请日：2007-10-11
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其中磁记录层中的取向分散降低，晶粒粒径减小，同时非磁性中间层的膜厚度减小，从而性能得到改善，例如噪声降低，S/N比例增加，写入能力提高。该垂直磁记录介质通过在非磁性基板上依次层加以下各层形成：软磁背衬层、第一底层、第一非磁性中间层、第二底层、第二非磁性中间层、磁记录层、保护膜和液体润滑层；所述第一底层包含具有fcc结构且至少包含Ni和Fe的软磁材料，所述第二底层包含具有fcc结构且至少包含Co的软磁材料。
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公开(公告)号：CN101145351A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710152803.9
申请日：2007-09-12
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种具有改进介质性能的垂直双层磁性记录介质，并且由软磁性垫层导致的噪声被减小，以及由于外部磁场的影响而不会导致被记录磁化的擦除。垂直磁性记录介质具有按如下顺序的非磁性衬底、软磁性垫层、非磁性耦合层、硬磁性钉扎层、非磁性中间层和磁性记录层，其中软磁性垫层和硬磁性钉扎层在常温下经由非磁性耦合层反铁磁性地耦合在一起，并且硬磁性钉扎层的易磁化轴垂直于非磁性衬底的表面。
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