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公开(公告)号：CN213692041U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023058405.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开一种引线框架及芯片封装结构，该引线框架包括：散热片，散热片具有相对的第一表面和第二表面，以及，连接第一表面和第二表面的第三表面，第一表面具有用于安装芯片的基岛区；沿第二表面的边缘具有第一区域，沿第一区域具有间隔设置的多个镂空结构，每个镂空结构由第一表面贯穿至第二表面。在上述引线框架中，当利用该引线框架封装芯片时，芯片安装在第一表面的基岛区，可以通过在第一表面一侧注入塑封料以形成塑封结构，塑封结构覆盖在第一表面，并将芯片包裹，且填充于上述多个镂空结构中，增加了与散热片的结合面积，从而，提高引线框架与塑封结构的结合强度，可有效避免引线框架和塑封结构分层或开裂。
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公开(公告)号：CN213212170U
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202022753217.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型涉及半导体领域，公开一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构，包括：外延层；形成于所述外延层一侧的P+耐压区；位于所述P+耐压区两侧的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；形成于所述P+耐压区背离所述外延层一侧的多晶硅连接引线层，所述多晶硅连接引线层用于将所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层连接；形成于所述多晶硅连接引线层背离所述外延层一侧的二氧化硅层，在所述二氧化硅层设有连接孔，以使所述多晶硅连接引线层露出；形成于所述二氧化硅层背离所述外延层一侧的金属层，以实现所述金属层与所述多晶硅连接引线层连接。用于解决由于元胞尺寸缩小、电流密度增大导致的抗短路性能变差的问题。
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公开(公告)号：CN212517215U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202021074035.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/324 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212033005U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020286911.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块，所述功率模块的内部设置有冷却通道，所述冷却通道用于冷却液的流通。本实用新型自带冷却通道，体积小，散热效率高。
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公开(公告)号：CN212031654U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020338083.6
申请日：2020-03-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件测试技术领域，特别地涉及一种测试装置及测试系统。本实用新型的测试装置将所述测试插孔件可活动地连接于所述测试基板，使得相邻所述测试插孔件之间相互靠近或远离，进而可灵活地改变测试插孔件的排序，可灵活地根据用户需要进行测试的半导体器件的管脚的排列方式，进而调整测试插孔件的排序使之与半导体器件的管脚的排列方式相对应，可灵活地测试多种管脚排序不同的半导体器件。本实用新型提供的测试装置可灵活地测试多种管脚排序不同的半导体器件，节约成本，提高工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211828749U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020023540.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211828683U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020190162.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型提供了一种沟槽型IGBT。该沟槽型IGBT的衬底中具有沟槽，各IGBT元胞包括栅极结构和发射极结构，栅极结构包括栅极层、第一栅氧层和第二栅氧层，部分第一栅氧层覆盖于沟槽表面，部分栅极层设置于沟槽中，发射极结构包括发射区、接触孔和发射极，发射区位于衬底中，沟槽贯穿发射区，另一部分第一栅氧层以及另一部分栅极层叠置于与发射区对应的衬底上；接触孔贯穿位于衬底上的栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内，第二栅氧层覆盖于接触孔的部分表面；发射极位于接触孔中，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。上述沟槽型IGBT通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极层和发射极短接而导致的IGBT失效。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211555856U
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202020048803.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体封装器件及组合半导体封装器件，所述结构包括：引线框架和塑封层；所述引线框架包括第一框架和第二框架，所述第一框架向远离所述第二框架的一侧延伸形成第一接触部；所述第二框架向垂直于所述第一接触部的延伸方向延伸形成第二接触部；塑封层，对所述引线框架的框架主体进行塑封，所述第一接触部、所述第二接触部和若干个管脚暴露在塑封层外。本实用新型能够通过第一接触部和/或第二接触部对半导体封装器件进行连接组合，代替了使用跳线等复杂的组合方式，使连接方式更加方便简单。
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公开(公告)号：CN211428154U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020380049.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种针脚、功率器件和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211350654U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020371789.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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