公开(公告)号：CN106716653A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580051936.X

申请日：2015-08-07

Applicant: 康宁精密素材株式会社

Inventor： 李起渊 ,  吴润锡 ,  文亨修

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

CPC classification number: H01L33/505 ,  C03C4/12 ,  C03C8/04 ,  C03C8/08 ,  C03C8/14 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/7706 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明涉及一种用于发光二极管的颜色转换的基板及其制造方法，更具体地，涉及能够使量子点(QD)和支持QD的结构具有用于实现白色光的颜色转换功能的用于发光二极管的颜色转换的基板及其制造方法。为此，本发明提供了一种用于发光二极管的颜色转换的基板，所述基板包括：第一玻璃基板，布置在发光二极管上；第二玻璃基板，形成为面对第一玻璃基板；结构体，布置在第一玻璃基板与第二玻璃基板之间，具有中空部分并由黄色荧光体和低熔点玻璃料的混合物形成；QD，填充中空部分；密封材料，分别形成在第一玻璃基板与结构体的下侧之间以及第二玻璃基板与结构体的上侧之间。

公开(公告)号：CN106463202A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580030998.2

申请日：2015-05-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 次本伸一

IPC: H01B1/22 ,  B22F1/00 ,  H01B1/00 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09

CPC classification number: B22F1/0014 ,  B22F7/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/253 ,  B22F2302/256 ,  B22F2304/10 ,  C03C3/04 ,  C03C4/14 ,  C03C8/02 ,  C03C8/18 ,  C03C14/006 ,  C03C17/04 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C03C2214/08 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/479 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C22C29/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H05B3/12 ,  H05B3/84 ,  H05B2203/005 ,  H05B2203/011 ,  H05B2203/017 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/092 ,  H05K1/167 ,  H05K2201/0272

Abstract: 导电性糊膏至少含有导电性粉末、玻璃料和有机载体。导电性粉末具有Ag粉末等的贵金属粉末和包含Cu及/或Ni的贱金属粉末，并且贱金属粉末的比表面积低于0.5m2/g。所述贱金属粉末相对于导电性粉末的总量的含量，在重量比中，在贱金属粉末以Cu为主成分的情况下为0.1～0.3，在以Ni为主成分的情况下为0.1～0.2，在以Cu与Ni的混合粉为主成分的情况下为0.1～0.25。将该导电性糊膏在玻璃基体(1)上涂敷成线状并进行烧成，由此获得导电膜(2)。由此，实现耐候性良好且能适度地抑制电阻率的导电性糊膏、及使用了该导电性糊膏的防雾玻璃或玻璃天线等玻璃物品。

公开(公告)号：CN106463198A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023871.8

申请日：2015-05-18

Applicant: 太阳化学公司

Inventor： 孙博 ,  何靳安

IPC: H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C03C4/14 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/028 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及用于Si太阳能电池的银浆，所述Si太阳能电池包括高纯度Bi2O3添加剂和具有硅片的太阳能电池，在所述硅片的正面表面上具有银浆。所得的电池展现改进的效率。

公开(公告)号：CN104025267B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280050751.3

申请日：2012-05-08

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/064 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模而形成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN104637568B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510053429.1

申请日：2015-02-02

Applicant: 南通天盛新能源股份有限公司

Inventor： 朱鹏

IPC: H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L31/022441 ,  C03C4/14 ,  C03C8/18 ,  C03C8/22 ,  C03C2204/00 ,  C03C2207/00 ,  C09D11/033 ,  C09D11/037 ,  C09D11/10 ,  C09D11/106 ,  C09D11/52 ,  H01B1/023 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池用铝浆及其制备方法，该全铝背场浆料主要包括60-70%的铝粉、5-10%的纳米金属油性溶液、1-10%的无机粘结剂、10-20%的有机粘结剂、5-30%的有机溶剂、1-5%的助剂，本发明所制备的铝浆可以实现全铝背场的背表面制备工艺的良好实施，且浆料的附着力好，易于与之后印刷的银浆更好的附着，同时浆料中添加的纳米金属油性溶液可以使浆料与硅片有较好的接触性，避免铝背层脱落,能形成良好的欧姆接触，从而提高了光电转换效率，为企业提高了经济效益。

公开(公告)号：CN103703548A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280002226.4

申请日：2012-05-08

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。

公开(公告)号：CN1168850C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN98804041.7

申请日：1998-04-09

Applicant: 新材料公共服务公司研究所

Inventor： 马丁·门宁 ,  格哈特·乔施克 ,  赫尔穆特·施米特

IPC: C23C18/12 ,  C03C1/00

CPC classification number: C03C1/008 ,  C03C2207/00 ,  C03C2207/04 ,  C03C2207/08 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1295 ,  Y02T50/67

Abstract: 本发明公开了一种向金属表面提供玻璃质层的方法，具有美观，抗刮痕和抗腐蚀。该方法的特征在于向金属表面上施加一种涂覆组合物，将所形成的涂层热密实化而形成玻璃质层，所述组合物是在有a)毫微级SiO2颗粒和/或b)至少一种选自碱金属和碱土金属的氧化物和氢氧化物的存在下，通过包括水解和缩聚一种或多种通式(I)的硅烷的方法而获得的，RnSiX4-n(I)其中基团X彼此相同或不同，是可水解的基团或羟基，基团R彼此相同或不同，是氢、至多有12个碳原子的烷基、链烯基和炔基和具有6-10个碳原子的芳基、芳烷基和烷芳基，n是0、1或2，条件是至少使用一种n＝1或2的硅烷，或者由此衍生的低聚物。

公开(公告)号：CN109585115A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811145211.9

申请日：2018-09-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤冬乙 ,  中村敦

IPC: H01F1/24 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/33 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/02 ,  B22F2301/35 ,  B22F2302/25 ,  B22F2304/10 ,  C03C3/066 ,  C03C8/04 ,  C03C2207/00 ,  H01F1/24 ,  H01F3/08 ,  H01F17/062 ,  H01F27/24 ,  H01F27/2823 ,  H01F2017/048 ,  H01F41/0206

Abstract: 本申请提供绝缘物包覆软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件、电子设备。绝缘物包覆软磁性粉末在高温下的绝缘性高，压粉磁芯、磁性元件及电子设备在高温下的可靠性高。绝缘物包覆软磁性粉末的特征在于，具有包含软磁性材料的芯部和设于所述芯部的表面且包含以Bi2O3为主成分的玻璃材料的绝缘层，并且，所述绝缘层中的碱金属的含有率在5摩尔％以下。另外，所述玻璃材料优选还包含ZnO以及B2O3中至少一方。另外，所述玻璃材料优选Bi2O3的含有率在40摩尔％以上80摩尔％以下。

公开(公告)号：CN106630620A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611030968.4

申请日：2016-11-22

Applicant: 闫博文

Inventor： 闫博文 ,  薛荣飞 ,  徐越

IPC: C03C8/00

CPC classification number: C03C8/00 ,  C03C2207/00

Abstract: 本发明涉及一种防爆瓷搪瓷底釉的制备方法，属于搪瓷底釉制备技术领域。本发明首先以膨润土、高岭土进行球磨后煅烧，得到煅烧物，再将其与铝钛复合偶联剂等物质进行混合，制备得改性混合物，接着以稻壳为原料，对其炭化后，利用十二烷基硫酸钠溶液对其进行改性，得到改性稻壳粉末，将其与改性混合物、石英砂等物质进行混合，得到混合釉料，最后对其进行热处理，即可得到防爆瓷搪瓷底釉。本发明制备的防爆瓷搪瓷底釉与金属基材的密着强度达到一级，附着力高，不易开裂；热膨胀系数为25×10‑7～85×10‑7/℃，与金属的热膨胀系数相近，不易出现开裂和爆瓷的现象。

公开(公告)号：CN103703548B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280002226.4

申请日：2012-05-08

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。