公开(公告)号：CN112204716B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201880010959.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/316 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50

Abstract: 半导体装置的制造方法，具有：在包含第一金属以及第二金属的金属容器100内投入玻璃材料、或在包含第一金属的金属容器100内投入第二金属以及玻璃材料的工序；在第一期间内，通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器100内，从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分100的工序；以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序。

公开(公告)号：CN112204716A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201880010959.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/316 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置的制造方法，具有：在包含第一金属以及第二金属的金属容器100内投入玻璃材料、或在包含第一金属的金属容器100内投入第二金属以及玻璃材料的工序；在第一期间内，通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器100内，从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分100的工序；以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序。

公开(公告)号：CN110352471A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880000706.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  六鎗广野

IPC: H01L21/225

Abstract: 本发明的半导体装置的的制造方法，包括：溶解工序，将乳酸铝溶于水后制作水溶液；混合工序，制造水溶液与有机溶剂混合后的混合液，并制造含有混合液的半导体掺杂物液体源；涂布工序，在进行混合工序后，将含有水溶液的半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板上，从而在半导体基板上形成扩散源覆盖膜；烧成工序，在进行涂布工序后，在第一气氛中，对半导体基板按第一温度进行加热处理，从而对扩散源覆盖膜中的至少有机溶剂进行烧成；以及扩散工序，在进行烧成工序后，在第二气氛中，对半导体基板按高于第一温度的第二温度进行加热处理，使扩散源覆盖膜中含有的铝在半导体基板上扩散，从而在半导体基板上形成扩散层。

公开(公告)号：CN103890935B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380003558.9

申请日：2013-04-16

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/316 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN103890919A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050753.2

申请日：2012-05-08

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 六鎗広野 ,  伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L23/291 ,  C03C3/093 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/56 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体接合保护用玻璃复合物，至少含有SiO2，B2O3，Al2O3，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10-6～4.13×10-6的范围内。根据本发明中的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样高耐压的半导体装置。

公开(公告)号：CN103748667A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201180031634.8

申请日：2011-08-29

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊藤一彦 ,  伊東浩二

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/0603 ,  C03C3/066 ,  C03C3/087 ,  C03C8/02 ,  C03C8/24 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/761

Abstract: 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、Al2O3、MO、镍氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K（其中，在上述MO中，M表示碱土金属）。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用“以硅酸铅为主要成分的玻璃材料”同样的高耐压半导体装置。另外，通过电泳法形成的“由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层”，可以抑制在烧制过程中从与半导体基体（硅）的临界面产生的气泡的产生，从而可以抑制半导体装置的反方向耐压特性的劣化等情况的发生。

公开(公告)号：CN103403846A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280002233.4

申请日：2012-01-31

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 六鎗広野 ,  伊东浩二 ,  小笠原淳 ,  伊藤一彦

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/093 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L23/564 ,  C03C3/04 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/06181

Abstract: 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体装置。另外，因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，因此具有在50℃～550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值，可以制造可信度高的半导体装置。

公开(公告)号：CN101930919B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010213490.5

申请日：2010-06-23

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  神山徹 ,  远藤恭介

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/41 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种抑制漏电流，可以在流通微小电流的区域降低电压降的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法如下：在n型半导体层的一侧表面附近，形成浓度设定成在流通微小电流的区域产生电压降的p型半导体层，形成pn结；在p型半导体层的表面形成铝的膜；使铝与p型半导体层的硅通过烧结处理进行反应生成铝-硅化物膜；将存在于铝-硅化物膜的上部的、没有与硅发生反应的铝通过蚀刻除去，从而使表面粗糙表面化；在粗糙表面化的铝-硅化物膜上形成镍膜。

公开(公告)号：CN110352471B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201880000706.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  六鎗广野

IPC: H01L21/225

Abstract: 本发明的半导体装置的的制造方法，包括：溶解工序，将乳酸铝溶于水后制作水溶液；混合工序，制造水溶液与有机溶剂混合后的混合液，并制造含有混合液的半导体掺杂物液体源；涂布工序，在进行混合工序后，将含有水溶液的半导体掺杂物液体源涂布在半导体基板上，从而在半导体基板上形成扩散源覆盖膜；烧成工序，在进行涂布工序后，在第一气氛中，对半导体基板按第一温度进行加热处理，从而对扩散源覆盖膜中的至少有机溶剂进行烧成；以及扩散工序，在进行烧成工序后，在第二气氛中，对半导体基板按高于第一温度的第二温度进行加热处理，使扩散源覆盖膜中含有的铝在半导体基板上扩散，从而在半导体基板上形成扩散层。

公开(公告)号：CN109121423B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201780000855.6

申请日：2017-04-19

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二

IPC: C25D13/02 ,  C25D13/00 ,  C25D13/10 ,  C25D13/12 ,  H01L21/301

Abstract: 半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。