一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106929830A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710132913.2

    申请日:2017-03-07

    Applicant: 湘潭大学

    CPC classification number: C23C18/1216 C23C18/1225 C23C18/1241 C23C18/1295

    Abstract: 本发明公开一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的制备方法。本发明以钛片为导电基底、钛片表面通过水热法生长羟基氧化铁纳米棒、利用葡萄糖为碳源在高温下合成纳米结构可控的复合电极材料碳层包覆的钛掺杂三氧化二铁纳米棒,即C/Ti‑Fe2O3。所述电极材料包括钛金属片和三氧化二铁纳米棒、碳层。所述碳层包覆在三氧化二铁纳米棒表面,在高温下能有效维持纳米棒的微观形貌,显著改善电极材料的光电化学性能。可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光催化水分解制氢、光催化降解有机污染物等领域。

    一种CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105603395A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201610031323.6

    申请日:2016-01-18

    Inventor: 林媛 姚光 高敏

    CPC classification number: C23C18/1295 C23C18/1216 C23C18/1245

    Abstract: 一种CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域。包括以下步骤:1)通过高分子辅助沉积法配制含钙铜钛的前驱液;2)将斜切的LaAlO3基片在800~1000℃下热处理1~6小时,得到表面为台阶结构的基片;3)采用旋涂法将前驱液均匀涂覆于步骤2)处理后的基片表面,烘干,得到含钙铜钛的薄膜样品;4)对上步得到的含钙铜钛的薄膜样品热处理,随炉冷却至室温,得到CaCu3Ti4O12薄膜。本发明通过不同斜切角度的斜切基片调控CCTO薄膜的应力,使得制得的薄膜的介电损耗明显降低;且方法简单,成本低廉,具有良好的工艺可控性和重复性,有利于大规模批量化生产。

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