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公开(公告)号：CN110993009B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911203481.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。
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公开(公告)号：CN111581120B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010380600.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 提供了一种包括闪存和闪存控制器的电子设备。闪存控制器耦合到闪存，并用于管理对闪存的数据存取。闪存控制器包括定时器、存储器和耦合到定时器和存储器的微控制器。定时器用于产生时钟中断。存储器用于在预定时间段内保持被编程到闪存中的数据的条目列表。在每个时钟中断时，微控制器用于写入被编程到闪存中的数据的条目以更新条目列表。
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公开(公告)号：CN110383232B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201980000831.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器控制系统包括存储器接口、微控制器和序列处理单元。所述存储器接口电路接收存储器操作命令，并且根据所述存储器操作命令来生成多个操作指令。所述微控制器被耦合到所述存储器接口电路。所述微控制器接收多个操作指令并且通过预定协议根据调度算法来生成多个任务指令。所述序列处理单元被耦合到所述微控制器。所述序列处理单元通过预定协议接收多个任务指令并且利用所述序列处理单元的所述至少一个有限状态机根据所述多个任务指令来控制存储器件的多个电路。
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公开(公告)号：CN109192732B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811014595.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，由该方法制成的半导体器件中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过源极和漏极能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该存储器的结构有利于降低存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。此外，漏极与源极形成的PN结与电荷遂穿层可以零距离接触，减小了穿过PN结处的遂穿电流的衰减，提高了半导体器件的各种操作速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109192732A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811014595.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，由该方法制成的半导体器件中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过源极和漏极能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该存储器的结构有利于降低存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。此外，漏极与源极形成的PN结与电荷遂穿层可以零距离接触，减小了穿过PN结处的遂穿电流的衰减，提高了半导体器件的各种操作速率。
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公开(公告)号：CN113659979B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202110960569.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种延迟锁相环及其延迟线锁定方法、装置、介质及系统，方法包括：获取包括延迟锁相环的系统的条件参数和预先存储的锁定值；在预先存储的锁定值中确定条件参数对应的初始锁定值；以及响应于根据初始锁定值确定出延迟锁相环的延迟线满足锁定条件，对当前的延迟线进行锁定。通过预先存储多个延迟线的锁定值，并结合系统的条件参数选择适合系统的锁定值开始调整延迟线，使得初始锁定值尽可能地接近系统最终的锁定值，大大减少延迟线的调整次数，从而减少延迟线的锁定时间，进而减少系统运行时时钟信号不同步的时间，尽可能地减小对系统运行的影响。
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公开(公告)号：CN113129980B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110510760.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种信息译码方法、装置、电子设备及存储介质，获取page(页)的目标基础信息，并根据目标基础信息确定page的目标最低读取次数和目标LLR信息，根据目标最低读取次数来确定page所需读取次数，确定每次读取的cell(存储单元)的阈值电压所属电压区域并利用目标LLR(置信度)信息获得的cell的LLR值，进而求得page中每个cell的LLR均值，以对page中所有cell的LLR均值进行译码得到page的译码结果。本申请可以降低因随机电报噪声引起的cell的阈值电压波动，使得赋予cell的LLR值不准确，导致LDPC软译码效率低，LDPC软译码纠错能力受限的问题。
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公开(公告)号：CN113035256B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110351844.0
申请日：2018-11-05
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；所述第一电压包括所述第一子电压；所述第一子电压高于所述第二电压。
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公开(公告)号：CN111638994B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010484571.2
申请日：2020-06-01
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种闪存存储器及其错误比特计数检测方法和系统，ECC控制模块将需要进行错误比特计数的逻辑块的逻辑地址发送至块标志电路，块标志电路对逻辑块的逻辑地址进行译码，获得与逻辑块的逻辑地址对应的物理地址，并将物理地址的地址标记信号发送至对应的错误比特模块，错误比特模块根据块标志电路发送的地址标记信号以及页缓存器输出的错误标记信号，对具有验证错误的存储单元进行计数，即本发明中按照ECC控制模块的逻辑块进行错误比特计数，提高了错误比特计数检测的准确性。
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