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公开(公告)号：CN112002357B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010814123.4
申请日：2020-08-13
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于操作半导体器件的方法及半导体器件。所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压稳定在预设电压范围内。本发明能够减少第一次读取的错误位数，避免读取错误。
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公开(公告)号：CN112289358B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011202078.3
申请日：2020-11-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 公开了一种三维(3D)存储器系统，包括：存储块，所述存储块分成多个存储子块，每个存储子块包括多个存储单元，以及所述存储块包括多个字线；以及控制器，配置为通过两轮编程方式对所述存储块中的存储单元进行编程，其中，所述编程包括：对所述多个字线中的第一字线上包括的在所述多个存储子块中的存储单元进行第一轮编程；对所述多个字线中与所述第一字线相邻的第二字线上包括的在所述多个存储子块的一部分存储子块中的存储单元进行第一轮编程，其中，所述一部分存储子块至少包括第一存储子块；对所述第一字线上包括的在所述第一存储子块中的存储单元进行第二轮编程。
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公开(公告)号：CN111599400B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010270212.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种失败比特数统计方法及存储器设备，其中，所述方法包括：将第i次编程脉冲施加到存储器单元；在施加所述第i编程脉冲的过程中，执行以下操作：从第一锁存器读取第i‑1次统计数据，所述第i‑1统计数据为用于统计第i‑1编程操作的失败比特数所需的数据；根据所述第i‑1统计数据，执行所述第i‑1编程操作的失败比特数统计操作；其中，i为大于1的整数。
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公开(公告)号：CN109785889B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201811631792.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/30
Abstract: 本发明实施例公开了一种自适应的充放电电路，所述电路包括：检测单元和充放电控制单元，其中：所述检测单元的输入端与存储阵列的每一闪存单元对应的电容的输出端连接，所述检测单元的输出端与所述充放电控制单元的输入端连接；所述充放电控制单元的输出端与每一所述闪存单元对应的电容的输入端连接；所述检测单元，用于对每一所述闪存单元对应的电容进行充放电时，对每一所述闪存单元对应的电容的电压进行监测，并将监测结果发送至所述充放电控制单元；所述充放电控制单元，用于接收所述检测单元发送的监测结果，并基于所述监测结果控制每一所述闪存单元对应的电容的充放电操作。本发明的实施例同时还公开了一种自适应的充放电方法和设备。
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公开(公告)号：CN112639978A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202080003886.9
申请日：2020-12-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间，未选定的存储块的字线是浮动的，即没有外部偏置。在擦除操作之后，在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111371458A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010182960.X
申请日：2020-03-16
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例提供一种电压放大电路和乘法数模转换器，其中，电压放大电路包括：控制模块和运算放大器；所述控制模块与所述运算放大器的反相输入端连接，用于控制输入至所述运算放大器的输入电压；所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端连接，使得所述运算放大器构成负反馈电路，通过所述负反馈电路实现对所述输入电压的放大处理。
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公开(公告)号：CN109979504A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910249945.X
申请日：2019-03-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 王礼维
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器控制电路，所述控制电路用于根据输入信号生成控制所述静态随机存取存储器工作的输出信号，所述输入信号至少包括位线电位模拟信号，所述控制电路包括：位线电位模拟信号侦测模块，用于根据输入的所述位线电位模拟信号的变化生成模拟信号侦测标志位；其中，所述模拟信号侦测标志位用于控制所述静态随机存取存储器工作的所述输出信号的产生和/或复位时间。
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公开(公告)号：CN116665740A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310649370.7
申请日：2020-12-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间，未选定的存储块的字线是浮动的，即没有外部偏置。在擦除操作之后，在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。
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公开(公告)号：CN110556148B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910848936.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 王礼维
Abstract: 本发明提供一种3D NAND存储器的读取方法及装置，在时钟触发信号之前，将每个组中参考位线预充至预设电压，在地址译码之后，在目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，进而，在选中目标字线后，获取目标位线上的感应电流。这样，参考位线的预充无需占用时钟时间，而目标位线通过与参考位线的连接而处于可读取电压的状态，这种耦合方式较预充方式几乎无需占用时钟时间，可以大大减少读取操作的时钟时间，同时，可以大大降低功耗。
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公开(公告)号：CN112349655A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011132876.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/00 , H01L23/367 , H01L25/10 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其安装结构、封装模具和制作方法，以解决现有半导体器件内芯片组容易在外力作用下损坏的问题。半导体器件，包括：基板、至少一芯片组和至少一封装壳体。所述基板上设置有适于安装芯片组的表面；所述至少一芯片组安装于所述表面上；所述至少一封装壳体安装在所述基板上，并罩装在所述芯片组的外部，所述封装壳体背离所述基板的一侧设置有向背离所述基板侧凸出的封装曲面。本发明半导体器件及其安装结构、封装模具和制作方法可以减少芯片组受力，为芯片组提供更可靠的保护。
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