一种多孔SiC陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115196990A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210927440.6

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域,公开了一种多孔SiC陶瓷材料及其制备方法;所述制备方法为:将SiC颗粒与液态聚碳硅烷混合均匀后,压制成坯体;将坯体于1000~1300℃的温度下进行微波烧结处理,得到所述多孔SiC陶瓷材料。本发明通过在SiC颗粒中加入液态聚碳硅烷作为前驱体,并对其进行微波烧结处理,依靠微波独有的热效应,即微波耦合热效应和等离子体热效应,结合前驱体热解产生的气体在微波场的作用下被激发为等离子体,产生局部的瞬间高温把周边的SiC颗粒熔融固结到一起,同时前驱体热解产生的碳化硅也可以作为连接相存在于碳化硅颗粒之间,使合成的多孔SiC陶瓷具有优良的力学性能。

    一种B4C纳米片的制备方法及B4C纳米片

    公开(公告)号:CN106082228B

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201610407347.7

    申请日:2016-06-12

    Abstract: 本发明公开了一种B4C纳米片的制备方法及B4C纳米片,该制备方法包括:1)取硼酸、煤粉与碳酸钠或碳酸氢钠进行球磨得混合粉体;碳酸钠或碳酸氢钠的加入质量为硼酸、煤粉总质量的3%~10%;2)将所得混合粉体预压成型后经冷等静压得片状物;3)将所得片状物埋入石英砂中进行微波烧结,即得。该制备方法将硼酸、煤粉与碳酸钠或碳酸氢钠球磨混合,经预压成型和冷等静压后再微波烧结,利用碳优良的吸波性能,微波烧结时气体的等离子效应,实现了B4C纳米片的快速合成;所得B4C纳米片结晶度好,厚度小,产率及纯度高;烧结时间短,烧结温度低,节省了大量能源;工艺简单,操作方便,适合工业化快速生产,具有广阔的应用前景。

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