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公开(公告)号：CN114885108A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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公开(公告)号：CN113992472A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111275674.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04L12/40
Abstract: 本发明公开了一种FlexRay总线IP核的工作方法及系统，本发明通过设置时钟复位模块、寄存器配置模块、宏节拍模块、偏差测量模块、纠正值计算模块、协议控制模块、接收控制模块、发送控制模块和存储控制模块，实现了FlexRay总线的寄存器配置，实现了宏节拍控制和周期控制，实现了对传输偏差值的测量，实现了对纠偏值的计算；实现了总线的协议控制，并实现了数据的发送和接收，并且本发明能够应用到FPGA中，也可以应用到专用ASIC电路中。
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公开(公告)号：CN119946459A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510004210.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/706
Abstract: 本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法；所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容；本发明采用像素级光电信号存储和比较方式，确定后一次图像与前一次图像在单个像素的上变化情况，对变化信号进行量化并标识位置信息，极大的缩短了量化和处理时间，大幅降低了功耗和提升了帧频，对目标检测、跟踪、边境监测等事件发现应用场景具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113992871B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112992863B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113992472B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111275674.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04L12/40
Abstract: 本发明公开了一种FlexRay总线IP核的工作方法及系统，本发明通过设置时钟复位模块、寄存器配置模块、宏节拍模块、偏差测量模块、纠正值计算模块、协议控制模块、接收控制模块、发送控制模块和存储控制模块，实现了FlexRay总线的寄存器配置，实现了宏节拍控制和周期控制，实现了对传输偏差值的测量，实现了对纠偏值的计算；实现了总线的协议控制，并实现了数据的发送和接收，并且本发明能够应用到FPGA中，也可以应用到专用ASIC电路中。
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公开(公告)号：CN111181564B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202010172482.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法，属于ADC转换增益误差的校正领域。本发明的校准装置，引入增益误差校准电容阵列对增益误差进行校准，可有效减小增益误差，提高ADC的转换精度。该增益误差校准技术具有双极性增益误差可校准性；该增益误差校准具有校准精度可调节性，可对不同极性和幅度的增益误差实现调整。本发明的校准方法，在校准时不影响正常的AD转换。
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公开(公告)号：CN110311656B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201910592610.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/012 , H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种自适应抗单粒子翻转的异步复位和置位D触发器，时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器和可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；SEU监测电路分别与可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器及可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻‑电容滤波结构的主锁存器分别与数据信号输入端D、复位信号输入端R、置位信号输入端SN及可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器连接；可控电阻‑电容滤波结构的从锁存器分别与复位信号输入端R、置位信号输入端SN及输出电路连接；输出电路与第一输出端Q及第二输出端QN连接。
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公开(公告)号：CN112019779B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010858423.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明为一种超大阵列图像传感器的校准型面阵驱动电路及方法，包括行驱动电路A、行驱动电路B和驱动校准电路；所述行驱动电路A和行驱动电路B的版图结构相同，分别连接像元面阵，对像元面阵产生驱动信号；所述驱动校准电路的输入端连接产生图像传感器控制信号的状态机的输出端，驱动校准电路的输出端分别连接行驱动电路A和行驱动电路B的输入端；所述驱动校准电路将状态机输入的控制信号分为两路，一路控制信号通过延时校准后输出至行驱动电路A，另一路控制信号直接输出至行驱动电路B。本发明实现了对像元阵列的可靠控制，支持芯片的拼接复用，具有设计结构简单、可移植性强，可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN114937677A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210688398.7
申请日：2022-06-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。
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