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公开(公告)号：CN111480179B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201880081260.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明揭示用于检验光刻光罩的方法及设备。基于从设计数据库产生的光罩数据库图像来经由深度学习过程产生近场光罩图像，且基于所述近场光罩图像来经由基于物理的过程模拟检验系统的图像平面处的远场光罩图像。所述深度学习过程包含基于最小化所述远场光罩图像与通过使由所述设计数据库制造的训练光罩成像获取的多个对应训练光罩图像之间的差异来训练深度学习模型，且此类训练光罩图像根据图案多样性来选择且是无缺陷的。经由裸片到数据库过程来检验由所述设计数据库制造的测试光罩的测试区域的缺陷，所述裸片到数据库过程包含比较来自参考远场光罩图像的多个参考图像与由所述检验系统从所述测试光罩获取的多个测试图像。基于由所述经训练的深度学习模型产生的参考近场光罩图像来模拟所述参考远场光罩图像。
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公开(公告)号：CN117980729A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202380013702.0
申请日：2023-03-30
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/88 , G01N21/95 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/40 , G06V10/82 , G06N3/0464 , H01L21/66
Abstract: 一种检验系统可通过以下者开发检验配方：使用与N种不同光学检验模式相关联的一或多个光学检验子系统来产生初步样本的N个检验图像；使用分类器运用来自数目M种所述光学检验模式的至少一些组合的所述检验图像来产生所述初步样本的位置中的每一者在背景或缺陷类别中的概率，其中M大于一且小于N并对应于待包含在所述检验配方中的所述光学检验模式的数目；及基于描述所述背景与缺陷类别之间的区别的度量来选择M种所述光学检验模式的所述组合中的一者。所述检验系统可进一步使用运用M种所述光学检验模式的所述选定组合产生的M个检验图像来识别测试样本上的缺陷。
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公开(公告)号：CN110603626A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029967.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 系统及方法增加晶片的光学检验的信噪比以获得更高检验灵敏度。计算参考图像可最小化测试图像及所述计算参考图像的差异的范数。确定所述测试图像与计算参考图像之间的差异图像。所述计算参考图像包含第二组图像的线性组合。
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公开(公告)号：CN106463428A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023431.2
申请日：2015-05-04
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/00 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/8887 , G01N2021/95676 , G01N2201/06113 , G01N2201/10 , G01N2201/12 , G06T7/0008 , G06T7/001 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明提供用于检测光罩上的缺陷的系统及方法。实施例包含产生及/或使用包含光罩图案的成对的预定分段及对应近场数据的数据结构。可基于光罩的由光罩检验系统的检测器产生的实际图像通过回归来确定所述预定分段的所述近场数据。接着，检验光罩可包含：将所述光罩上的检验区中所包含的图案的两个或两个以上分段分别与所述预定分段进行比较；及基于所述分段中的至少一者最类似于的所述预定分段而将近场数据指派到所述分段中的所述至少一者。接着，可使用所述所指派近场数据来模拟将由所述检测器针对所述光罩形成的图像，可将所述图像与由所述检测器产生的实际图像进行比较以进行缺陷检测。
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公开(公告)号：CN115943301B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202180043613.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于设置样本的检验的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以获取样本的参考图像且修改所述参考图像以使所述参考图像适合于设计栅格以从而产生黄金栅格图像。所述一或多个计算机子系统还经配置以存储所述黄金栅格图像用于检验所述样本。所述检验包含使从检验子系统的输出产生的所述样本的测试图像与所述黄金栅格图像对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118644473A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410943696.5
申请日：2018-12-14
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本申请实施例涉及使用机器学习检验光罩的系统和方法。基于从设计数据库产生的光罩数据库图像来经由深度学习过程产生近场光罩图像，且基于所述近场光罩图像来经由基于物理的过程模拟检验系统的图像平面处的远场光罩图像。该深度学习过程包含基于最小化该远场光罩图像与通过使由该设计数据库制造的训练光罩成像获取的多个对应训练光罩图像之间的差异来训练深度学习模型。经由裸片到数据库过程来检验由该设计数据库制造的测试光罩的测试区域的缺陷，该裸片到数据库过程包含比较来自参考远场光罩图像的多个参考图像与由该检验系统从该测试光罩获取的多个测试图像。基于由该经训练的深度学习模型产生的参考近场光罩图像来模拟该参考远场光罩图像。
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公开(公告)号：CN118119839A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202380013725.1
申请日：2023-03-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种检验系统包含控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器。所述程序指令致使所述一或多个处理器接收样本的第一扫描路径的第一组重复扫描带的至少第一部分。所述程序指令致使所述一或多个处理器通过平均化所述第一组重复扫描带的所述第一部分而产生图像。平均化所述第一组重复扫描带的所述第一部分降低所述图像中的噪声。所述程序指令致使所述一或多个处理器使用所述图像检测所述样本的检验区中的一或多个缺陷。
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公开(公告)号：CN116917721A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280017885.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 一种系统包含通信地耦合到光学晶片特征化系统的检测器阵列的处理单元。所述处理单元经配置以执行包含以下步骤的方法或过程的一或多个步骤：从所述检测器阵列获取晶片上的目标位置的一或多个目标图像；将去噪滤波器应用到至少所述一或多个目标图像；从一或多个参考图像及所述一或多个目标图像确定一或多个差异图像；及上取样所述一或多个差异图像以产生一或多个经上取样图像。可在所述一或多个差异图像或所述经上取样图像中检测一或多个晶片缺陷。
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公开(公告)号：CN114651172A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080077797.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956 , G06N3/04 , G06T7/00 , G06N3/08 , G06N5/00 , G06N7/00 , G06N20/00
Abstract: 计算用于半导体裸片的图案化层的光学成像的上下文属性。计算所述上下文属性包含计算所述图案化层的图案与多个核心的相应核心的卷积，其中所述多个核心是正交的。根据所述上下文属性寻找所述半导体裸片上的缺陷。
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公开(公告)号：CN111837077A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018419.0
申请日：2019-02-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种系统，其包含：光源，其用于产生照射射束；及照射透镜系统，其用于朝向样本引导所述照射射束。所述系统进一步包含：收集透镜系统，其用于响应于所述照射射束而朝向检测器引导来自所述样本的输出光；及检测器，其用于从所述样本接收所述输出光。所述收集透镜系统包含具有可个别选择的滤波器的固定设计补偿器板，所述可个别选择的滤波器具有不同配置以便在不同操作条件下校正所述系统的系统像差。所述系统也包含控制器，其可操作用于：(i)产生并朝向所述样本引导所述照射射束，(ii)选择操作条件及滤波器以便在此些所选择操作条件下校正所述系统像差，(iii)基于所述输出光产生图像，及(iv)基于所述图像确定所述样本是否通过检验或表征此样本。
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