公开(公告)号：CN119325559A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380042876.X

申请日：2023-08-10

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 陈宏 ,  樊子琪 ,  R·威灵福德 ,  李晓春 ,  S·帕克

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/93 ,  G06T7/00 ,  G06N3/08 ,  G06T3/4046

Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含：通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像；及将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像。所述方法还包含：基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移；及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。

公开(公告)号：CN114667596B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202080077271.0

申请日：2020-11-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 黄波士 ,  李胡成 ,  V·图马科夫 ,  S·帕克 ,  B·布拉尔 ,  E·索尔塔默罕默德

IPC: H01L21/66 ,  G06V10/762 ,  G06V10/764 ,  G06T7/11 ,  H01L21/67

Abstract: 在半导体晶片的图像中确定关注区域。基于与所述关注区域相关联的设计文件中的多边形的形状将所述关注区域划分为次关注区域。接着，针对所述次关注区域执行直方图的噪声扫描。基于所述直方图的所述噪声扫描将所述次关注区域聚类成群组。

公开(公告)号：CN115777060B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202180045542.9

申请日：2021-07-28

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 金欢 ,  李晓春 ,  S·帕克 ,  黄志峰

IPC: G01N21/95 ,  H01L21/66 ,  G06T7/00 ,  G01N21/88

Abstract: 在图像对比度量中使用全局及局部对准能量。所述图像对比度量可用于寻找光学目标。可使用来自梯度幅值图像的一些像素及来自光学图像的背景内容范围图像来确定所述图像对比度量。接着可使用来自跨晶片的部分的所述图像对比度量的热图(heatmap)来制作目标列表。可应用置信上限及下限值来对可用目标进行排名。

公开(公告)号：CN117999474A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202380013729.X

申请日：2023-03-31

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： R·M·丹恩 ,  S·帕克 ,  D·斯塔罗杜布 ,  A·塞兹希内尔

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/956 ,  G06T7/00 ,  G06N20/00 ,  G06V10/70

Abstract: 一种检验系统可在第一过程步骤之后产生多个样本区的第一步骤图像且在第二过程步骤之后产生所述样本区的第二步骤图像，其中所述第二过程步骤在所述样本区中的至少一者中修改样本。所述系统可进一步将所述样本区中的一者识别为测试区且将剩余样本区中的至少一些识别为比较区，其中所述测试区的所述第二步骤图像是测试图像且所述比较区的所述第二步骤图像是比较图像。所述系统可进一步通过从所述测试图像删减第二步骤比较图像中的至少一者及所述第一步骤图像中的至少两者的组合而产生多步骤差异图像。所述系统可进一步基于所述多步骤差异图像识别与所述第二过程步骤相关联的所述测试区中的缺陷。

公开(公告)号：CN113169089B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980079468.5

申请日：2019-12-12

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： B·布拉尔 ,  R·威灵福德 ,  K·格拉马 ,  李胡成 ,  S·帕克

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G06N20/00

Abstract: 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果，选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。

公开(公告)号：CN114600154B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202080070441.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴塔查里亚 ,  G·丛 ,  S·帕克 ,  黄波士

IPC: G06T7/00 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/047 ,  G06N3/048 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/094

Abstract: 将经渲染图像与扫描电子显微镜(SEM)图像对准以产生经对准经渲染图像。将参考图像与所述SEM图像对准以产生经对准参考图像。还生成阈值概率图。所述SEM图像及经对准参考图像的动态补偿可产生经校正SEM图像及经校正参考图像。可生成阈值缺陷图且使用基于宽带等离子体的性质过滤所述阈值概率图的缺陷及所述阈值缺陷图的信噪比缺陷以产生所关注缺陷团簇。

公开(公告)号：CN114667596A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202080077271.0

申请日：2020-11-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 黄波士 ,  李胡成 ,  V·图马科夫 ,  S·帕克 ,  B·布拉尔 ,  E·索尔塔默罕默德

IPC: H01L21/66 ,  G06V10/762 ,  G06V10/764 ,  G06K9/62 ,  G06T7/11 ,  H01L21/67

Abstract: 在半导体晶片的图像中确定关注区域。基于与所述关注区域相关联的设计文件中的多边形的形状将所述关注区域划分为次关注区域。接着，针对所述次关注区域执行直方图的噪声扫描。基于所述直方图的所述噪声扫描将所述次关注区域聚类成群组。

公开(公告)号：CN115943301B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202180043613.1

申请日：2021-08-25

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 陈宏 ,  B·布拉尔 ,  A·塞兹希内尔 ,  S·帕克 ,  G·丛 ,  李晓春

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/93 ,  G01N21/95 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供用于设置样本的检验的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以获取样本的参考图像且修改所述参考图像以使所述参考图像适合于设计栅格以从而产生黄金栅格图像。所述一或多个计算机子系统还经配置以存储所述黄金栅格图像用于检验所述样本。所述检验包含使从检验子系统的输出产生的所述样本的测试图像与所述黄金栅格图像对准。

公开(公告)号：CN117015793A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280017884.4

申请日：2022-06-15

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： B·布拉尔 ,  S·帕克 ,  李胡成

IPC: G06T5/00

Abstract: 可通过在配方设置期间且接着在运行时间期间在相同位置处提取图像帧来识别及减轻晶片间及晶片内图像对比度变动。确定所述两个图像帧的图像对比度。所述两个图像帧的对比度比率可用于确定对比度变动及焦点变动。

公开(公告)号：CN115769254A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180043756.2

申请日：2021-07-27

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： R·威灵福德 ,  G·丛 ,  S·帕克

IPC: G06T7/00 ,  G06T3/40 ,  G06T5/00 ,  G06T7/136 ,  G06T7/70 ,  G06N3/08

Abstract: 提供用于检测样本上的缺陷的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机系统及由所述一或多个计算机系统执行的一或多个组件。所述组件包含深度学习模型，其经配置用于针对样本上的位置从由高分辨率成像系统在所述位置处产生的高分辨率图像产生灰阶模拟设计数据图像。所述计算机系统经配置用于从所述灰阶模拟设计数据图像产生所述位置的模拟二进制设计数据图像。所述计算机系统还经配置用于通过从所述模拟二进制设计数据图像减去所述位置的设计数据来检测所述样本上所述位置处的缺陷。