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公开(公告)号：CN105531807B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201480049582.0
申请日：2014-07-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 官淳 , 熊亚霖 , 约瑟夫·布莱谢 , 罗伯特·A·康斯托克 , 马克·J·维尔
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。
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公开(公告)号：CN106165065B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201580018393.1
申请日：2015-04-02
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明揭示一种用于产生用于掩模的高密度配准映射图的方法及系统。数据准备模块产生所述掩模的多个锚点。另外，所述数据准备模块产生多个样本点。也在所述数据准备模块中产生权重，且所述权重随后被用于数据融合模块中。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用配准工具来测量锚点的位置。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用检验工具来确定样本点的位置。将所述锚点的所述测量的位置及所述样本点的所述测量的位置传递到数据融合模块，其中确定配准映射图。
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公开(公告)号：CN109659245A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811100685.1
申请日：2014-07-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 官淳 , 熊亚霖 , 约瑟夫·布莱谢 , 罗伯特·A·康斯托克 , 马克·J·维尔
Abstract: 本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110603626B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880029967.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 系统及方法增加晶片的光学检验的信噪比以获得更高检验灵敏度。计算参考图像可最小化测试图像及所述计算参考图像的差异的范数。确定所述测试图像与计算参考图像之间的差异图像。所述计算参考图像包含第二组图像的线性组合。
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公开(公告)号：CN105531807A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480049582.0
申请日：2014-07-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 官淳 , 熊亚霖 , 约瑟夫·布莱谢 , 罗伯特·A·康斯托克 , 马克·J·维尔
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/0006 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。
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公开(公告)号：CN109659245B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811100685.1
申请日：2014-07-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 官淳 , 熊亚霖 , 约瑟夫·布莱谢 , 罗伯特·A·康斯托克 , 马克·J·维尔
Abstract: 本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事件的第一子集和其对应的候选缺陷图像，且排除所述当前事件的第二子集和其对应的被排除图像。所述第一所包含事件中的每一者具有无法匹配任何基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值，且所述被排除的第二事件中的每一者具有匹配基线事件的位置和尺寸值的位置和尺寸值。
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公开(公告)号：CN110603626A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029967.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 系统及方法增加晶片的光学检验的信噪比以获得更高检验灵敏度。计算参考图像可最小化测试图像及所述计算参考图像的差异的范数。确定所述测试图像与计算参考图像之间的差异图像。所述计算参考图像包含第二组图像的线性组合。
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公开(公告)号：CN106165065A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018393.1
申请日：2015-04-02
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明揭示一种用于产生用于掩模的高密度配准映射图的方法及系统。数据准备模块产生所述掩模的多个锚点。另外，所述数据准备模块产生多个样本点。也在所述数据准备模块中产生权重，且所述权重随后被用于数据融合模块中。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用配准工具来测量锚点的位置。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用检验工具来确定样本点的位置。将所述锚点的所述测量的位置及所述样本点的所述测量的位置传递到数据融合模块，其中确定配准映射图。
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