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公开(公告)号：CN115943301B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202180043613.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于设置样本的检验的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以获取样本的参考图像且修改所述参考图像以使所述参考图像适合于设计栅格以从而产生黄金栅格图像。所述一或多个计算机子系统还经配置以存储所述黄金栅格图像用于检验所述样本。所述检验包含使从检验子系统的输出产生的所述样本的测试图像与所述黄金栅格图像对准。
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公开(公告)号：CN111316413B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201880072156.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种方法，其可包含(但不限于)接收晶片的多个参考图像。所述方法可包含(但不限于)接收所述晶片的多个测试图像。所述方法可包含(但不限于)经由粗略对准过程来对准所述多个参考图像及所述多个测试图像。所述方法可包含(但不限于)在经由所述粗略对准过程的对准之后，经由精细对准过程来对准所述多个参考图像及所述多个测试图像。所述精细对准过程可包含测量所述多个参考图像中的至少一者与所述多个测试图像之间的个别偏移及校正个别偏移数据。
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公开(公告)号：CN106662538B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201580042985.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含从通过运用检验系统扫描晶片产生的帧图像，产生所述晶片上的裸片中的阵列区域的至少一部分的测试图像。所述方法还包含从通过所述扫描所述晶片而产生的帧图像，产生所述阵列区域中的单元的参考图像。此外，所述方法包含通过从对应于所述裸片中的所述阵列区域的至少所述部分中的至少一个单元的所述测试图像的部分减去所述参考图像，确定所述至少一个单元的差异图像。所述方法进一步包含基于所述差异图像在所述至少一个单元中检测所述晶片上的缺陷。
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公开(公告)号：CN119325559A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380042876.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/88 , G01N21/93 , G06T7/00 , G06N3/08 , G06T3/4046
Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含：通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像；及将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像。所述方法还包含：基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移；及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。
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公开(公告)号：CN114930512B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180008240.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 陈宏
Abstract: 本发明公开一种系统，其包含通信地耦合到光学检验子系统的控制器，所述控制器经配置以：接收样品的训练图像；识别主裸片中的对准目标；接收样品的第一裸片行的第一组参考图像，所述第一裸片行包含主裸片及第一组参考裸片；经由精细对准过程对准所述第一组参考裸片与所述主裸片以产生所述第一行的第一组对准参考图像；接收所述样品的第二裸片行的第二组参考图像；使用粗略对准偏移值基于所述对准目标及所述训练图像对准所述第二组参考裸片与所述主裸片；及经由精细对准过程对准所述第二组参考裸片与所述主裸片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114930512A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008240.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 陈宏
Abstract: 本发明公开一种系统，其包含通信地耦合到光学检验子系统的控制器，所述控制器经配置以：接收样品的训练图像；识别主裸片中的对准目标；接收样品的第一裸片行的第一组参考图像，所述第一裸片行包含主裸片及第一组参考裸片；经由精细对准过程对准所述第一组参考裸片与所述主裸片以产生所述第一行的第一组对准参考图像；接收所述样品的第二裸片行的第二组参考图像；使用粗略对准偏移值基于所述对准目标及所述训练图像对准所述第二组参考裸片与所述主裸片；及经由精细对准过程对准所述第二组参考裸片与所述主裸片。
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公开(公告)号：CN107003249B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201580059575.3
申请日：2015-11-04
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: H01J37/28 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8854 , G01N2021/8883 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H01J2237/24592
Abstract: 本发明提供用于发现晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含通过在晶片的第一扫描中将阈值应用于由检测器产生的输出来检测所述晶片上的缺陷，且确定经检测的缺陷的特征的值。所述方法还包含自动对所述特征排名、识别特征裁切线，以将所述缺陷分组成筐，且对于所述筐中的每一者，确定在被应用于所述筐中的每一者中的缺陷的特征的值时将导致所述筐中的每一者中的预定数量的缺陷的一或多个参数。所述方法还包含在所述晶片的第二扫描中将所述一或多个经确定的参数应用于由所述检测器产生的输出以产生缺陷群体，其具有预定缺陷计数，且以所述特征的值多样化。
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公开(公告)号：CN115485628B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202180032420.6
申请日：2021-05-04
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 陈宏 , K·吴 , 李晓春 , J·A·史密斯 , E·希夫林 , 骆青 , M·库克 , W·W·司 , L·余 , B·布拉尔 , N·帕特威瑞 , N·特洛伊 , R·尹宗扎
IPC: G03F7/20 , G03F1/84 , G01N21/956 , G01N21/95 , G01N21/88 , G06T7/00 , G06V10/764
Abstract: 本发明提供用于检测光罩上的缺陷的系统和方法。一种系统包含配置成用于在对具有使用光罩在光刻工艺中印刷的特征的晶片执行检验工艺期间在前端处理中执行至少一个重复缺陷检测步骤的计算机子系统。在所述前端处理中执行的所述至少一个重复缺陷检测步骤包含识别通过双重检测在两个或更多个测试图像中的对应位置处检测到的任何缺陷及通过堆叠缺陷检测检测到的任何缺陷作为第一重复缺陷候选项。可对所述第一重复缺陷候选项执行一或多个额外重复缺陷检测以产生最终重复缺陷候选项并从所述最终重复缺陷候选项识别所述光罩上的缺陷。
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公开(公告)号：CN115943301A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180043613.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于设置样本的检验的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以获取样本的参考图像且修改所述参考图像以使所述参考图像适合于设计栅格以从而产生黄金栅格图像。所述一或多个计算机子系统还经配置以存储所述黄金栅格图像用于检验所述样本。所述检验包含使从检验子系统的输出产生的所述样本的测试图像与所述黄金栅格图像对准。
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公开(公告)号：CN106662538A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042985.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含从通过运用检验系统扫描晶片产生的帧图像，产生所述晶片上的裸片中的阵列区域的至少一部分的测试图像。所述方法还包含从通过所述扫描所述晶片而产生的帧图像，产生所述阵列区域中的单元的参考图像。此外，所述方法包含通过从对应于所述裸片中的所述阵列区域的至少所述部分中的至少一个单元的所述测试图像的部分减去所述参考图像，确定所述至少一个单元的差异图像。所述方法进一步包含基于所述差异图像在所述至少一个单元中检测所述晶片上的缺陷。
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