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公开(公告)号：CN104081492A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006416.8
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种电浆制造装置及方法，其容许在E及H操作模式之间的切换，以及也增加RF电源对电浆的耦合效率。此装置可藉由对于特定功率输出约1.25-1.65的因子来增加电浆密度。由于其高效率，因而可同时减免其冷却天线的需求。使用增加对特定体积的总表面积的新式的天线几何形状，藉以利用与RF电流相关的表面效应。在一些实施例中，具有单一循环的天线减少邻近效应。天线亦可嵌入于亚铁盐材料，藉以更进一步增进其效能。
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公开(公告)号：CN107924838B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。
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公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
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公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
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公开(公告)号：CN104603908B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081492B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380006416.8
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种电浆产生装置，其容许在E及H操作模式之间的切换，以及也增加RF电源对电浆的耦合效率。此装置可藉由对于特定功率输出约1.25-1.65的因子来增加电浆密度。由于其高效率，因而可同时减免其冷却天线的需求。使用增加对特定体积的总表面积的新式的天线几何形状，藉以利用与RF电流相关的表面效应。在一些实施例中，具有单一循环的天线减少邻近效应。天线亦可嵌入于亚铁盐材料，藉以更进一步增进其效能。
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公开(公告)号：CN103650098A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032889.0
申请日：2012-07-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 科斯特尔·拜洛
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32807 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/3065
Abstract: 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。
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公开(公告)号：CN102150239B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980135989.4
申请日：2009-08-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 杰·T·舒尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/34
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/18 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0817 , H01L21/26513 , H01L21/67005
Abstract: 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外，离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中，双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端，用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中，一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN102934195A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
Abstract: 揭示一种离子源(200)，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN102150239A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135989.4
申请日：2009-08-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 杰·T·舒尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/34
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/18 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0817 , H01L21/26513 , H01L21/67005
Abstract: 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外，离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中，双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端，用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中，一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。
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