公开(公告)号：CN113809183A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010528815.2

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件及其制备方法，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。

公开(公告)号：CN113451397A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010212618.X

申请日：2020-03-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵浩宇 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种RC‑IGBT器件制备方法，包括以下步骤：提供具备正面元胞结构的RC‑IGBT硅基，并将RC‑IGBT硅基的背面减薄至所需厚度；对上述减薄后的RC‑IGBT硅基背面生长SiC层，并注入P型杂质离子形成P型掺杂区域；向上述RC‑IGBT硅基背面注入N型杂质离子形成N型掺杂区域；将上述RC‑IGBT硅基背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。本发明还提供了该方法制备的RC‑IGBT器件，本发明中将器件背面替换成碳化硅并掺杂P型杂质离子形成P型掺杂区域，首先N型掺杂区域扩散程度比较好，其次抑制了载流子在N型掺杂区域中的流动从而控制其寿命，达到消除电压回折的现象，优化了其反向回复特性。

公开(公告)号：CN113394264A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010170752.8

申请日：2020-03-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵家宽 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片及其制备方法，所述芯片包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅场板，位于多晶硅场板及未被所述多晶硅场板覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本发明的芯片设置了平电场沟槽结构，优化了现有的芯片制造流程及工艺参数，并采用CMP工艺，制备了具有表面平电场沟槽结构的功率半导体芯片，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN113299732A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010111560.X

申请日：2020-02-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN113140639A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010059519.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管及其制作方法，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。

公开(公告)号：CN113035793A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355371.0

申请日：2019-12-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵家宽

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种芯片的制作方法，芯片的制作方法包括：在晶圆片(1)的表面形成电路层；对形成有所述电路层的晶圆片(1)进行封装；以及对封装后的所述晶圆片(1)进行切割，以形成多个封装后的芯片。应用本发明的技术方案，首先将整片的晶圆片进行封装，然后再对封装后的晶圆片进行切割以获得封装后的芯片，有利于改善相关技术中存在的芯片的制作方法工作繁琐、成本较高的问题。

公开(公告)号：CN112993006A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911276730.3

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。

公开(公告)号：CN112838128A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201911158451.7

申请日：2019-11-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。

公开(公告)号：CN112768503A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911002701.8

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。

公开(公告)号：CN112768356A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911074969.2

申请日：2019-11-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  史波

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。