公开(公告)号：CN113053750B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201911375713.5

申请日：2019-12-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  赵家宽 ,  葛孝昊

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。

公开(公告)号：CN112216666B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201910626038.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曾丹 ,  史波 ,  江伟 ,  廖勇波

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN114388606A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011120756.1

申请日：2020-10-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  林苡任 ,  曾丹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。

公开(公告)号：CN114256066A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011005223.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  马颖江 ,  曾丹 ,  林志龙

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN113497158A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010266554.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 温珂 ,  曾丹 ,  史波 ,  林苡任

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113394278A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010167943.9

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  赵浩宇 ,  温珂 ,  葛孝昊 ,  赵家宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。

公开(公告)号：CN113380719A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010157109.1

申请日：2020-03-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘洋洋 ,  史波 ,  江伟 ,  廖童佳

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基板结构、智能功率模块及其制备方法及其制备方法，用于解决陶瓷基板塑封时出现溢胶的技术问题。本发明的陶瓷基板结构，包括陶瓷基板；以及固定部，其设置在陶瓷基板上，用于将引线框架的插入部固定。本发明通过在陶瓷基板的内部设置用于固定引脚框架的插入部的固定部，因此陶瓷基板与引脚框架的连接处位于陶瓷基板的内部，从而保证陶瓷基板与引脚框架平行，能够避免因刷锡膏厚度不均匀造成的陶瓷基板倾斜，导致在塑封时出现溢胶的现象并避免由于陶瓷基板与引脚框架贴合的过于紧密而造成翘曲甚至开裂的现象。

公开(公告)号：CN113363330A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010151123.0

申请日：2020-03-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。

公开(公告)号：CN113345874A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010135151.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  马浩华 ,  曹俊 ,  童圣双 ,  马颖江

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块、封装结构及封装结构的制备方法，该智能功率模块包括驱动电路以及与驱动电路连接且受驱动电路驱动的多个桥臂，其中，每个桥臂均包括串联连接的上桥臂开关管和下桥臂开关管，每个桥臂中的下桥臂开关管的发射极，均与驱动电路中驱动下桥臂开关管的驱动芯片的共地端连接。该智能功率模块中驱动信号加到各个下桥臂开关管的路线不共用大电流线路，从而可以大大降低电流剧烈变化时对各个下桥臂开关管的控制端电压的影响，降低开关损耗，使得智能功率模块的开关速度加快，同时消除各个下桥臂开关管产生的噪音及延迟。

公开(公告)号：CN113113315A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010031012.6

申请日：2020-01-13

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及功率模块的领域，公开一种防止智能功率模块溢胶的方法，包括：提供一正面和背面均形成有金属层的DBC基板；将引线框架与DBC基板正面的金属层连接，且在DBC基板背面的金属层一侧形成保护膜；将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块；由于在DBC基板的背面金属层形成有保护膜，使得在将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块时，对DBC基板的背面金属层进行保护，使得在注塑成型形成模块的过程中，不会有注塑成型中胶体物质与DBC基板的背面金属层接触，从而保证了DBC基板的背面金属层的正常工作，提高了功率模块的散热性能。