-
公开(公告)号：CN112713186A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911019123.9
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种半导体终端结构及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底层上生长出外延层；在外延层上生长出具有预设厚度的第一氧化层；刻蚀第一氧化层，以形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口；通过各结终端注入口注入离子，以在外延层形成多个沿预设方向间隔分布且浓度递减的结终端拓展结构。通过刻蚀第一氧化层，能够形成沿预设方向呈台阶状分布的多个结终端注入口，由于各结终端注入口呈高度依次增大的台阶状分布，使得各结终端注入口在第一氧化层上的深度不同，注入的离子从不同深度的结终端注入口扩散到外延层的深度依次减小，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。
-
公开(公告)号：CN111463270A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010209456.4
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。通过本发明能够增加并联FRD的电路恢复通路，形成一种IGBT新型背面电极设计的分布式RC-IGBT结构，有效改善RC-IGBT的导通压降，使得恢复电流的通路最短，有效地降低了损耗。
-
公开(公告)号：CN110534556A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910668260.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/266 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
-
公开(公告)号：CN113140456B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010060417.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/739
Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111834336B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910321865.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394264A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010170752.8
申请日：2020-03-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片及其制备方法，所述芯片包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅场板，位于多晶硅场板及未被所述多晶硅场板覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本发明的芯片设置了平电场沟槽结构，优化了现有的芯片制造流程及工艺参数，并采用CMP工艺，制备了具有表面平电场沟槽结构的功率半导体芯片，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。
-
公开(公告)号：CN112838128A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911158451.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。
-
公开(公告)号：CN112768503A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002701.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L49/02
Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。
-
公开(公告)号：CN112768356A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911074969.2
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。
-
公开(公告)号：CN111952156A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910410169.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/228 , H01L21/324 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及半导体器件制备技术领域，公开一种向硅衬底扩散铂或金的方法及快恢复二极管制备方法，其中，向硅衬底扩散铂或金的方法包括以下步骤：去除硅衬底的主结区域的氧化层；在硅衬底主结区域露出的表面滴上含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液；将六甲基二硅胺烷溶液旋涂于硅衬底主结区域露出的表面；软烘，使六甲基二硅胺烷溶液变为固态；去除固态六甲基二硅胺烷；对硅衬底进行热退火。上述方法抛弃了现有技术中直流溅射的传统方案，而是将含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液旋涂于主结区域，经过软烘并去除固态六甲基二硅胺烷后，退火，即可使铂原子或金原子扩散进主结区域内，引入复合中心，达到减小反向恢复时间的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.055 seconds)
