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公开(公告)号：CN117709266A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311714983.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 燕山大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg，其中，栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联，与栅源等效电路单元并联，形成第一支路；漏源等效电路单元并联到第一支路上，形成第二支路；寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端，寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有参数少、提取参数简单的优点。
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公开(公告)号：CN113838923A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111113232.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/73 , H01L21/331
Abstract: 现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种三维应变Si双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的p型Si衬底、n+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，第一方向为由衬底指向n型集电区的方向；鳍型半导体p型基区上设置有n型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiGe应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiGe应变外延层对鳍型半导体p型基区和n型集电区同时施加单轴拉应力。电子迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。
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公开(公告)号：CN108630748B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201810437561.6
申请日：2018-05-09
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1‑xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层‑氮化层‑氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1‑yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。
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公开(公告)号：CN110867486A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911141243.6
申请日：2019-11-20
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/267 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1-xGaxP(x＝0～1)作为SiGe-HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。
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公开(公告)号：CN107342319B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710473915.8
申请日：2017-06-21
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法，所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延Si集电区、Si1‑xGex基区和Si发射区；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延掺杂C的Si1‑yGey；在Si1‑yGey表面淀积一层多晶硅作为基极，在基极表面热生长一层绝缘层作为基极和发射极的隔离层，在所述的基极绝缘层上淀积多晶硅作为发射极。本发明中复合应力的引入，提高了载流子的迁移率，有效提高了器件的工作速度的同时，也提高了集电区的击穿电压，在实现高速的同时也实现了大功率，可以实现混合高速高压器件的集成，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119486192A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411661217.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET及其制备方法，属于微电子技术领域。功率MOSFET，包括自下而上设置的衬底层、AlN缓冲层、Ga2O3缓冲层和Ga2O3外延层；其中，Ga2O3外延层的顶面设置有沟槽，沟槽中设置有氧化隔离层；漏电极设置在Ga2O3外延层的一侧与氧化隔离层相邻；源电极设置在Ga2O3外延层的另一侧中间区域；源电极两侧设置有第二沟槽；第二沟槽上自下而上设置有NiO层和绝缘栅介质层；绝缘栅介质层上设置有非平面栅结构的栅电极；第二沟槽和栅电极周围的间隙部分填充有第一氧化隔离层。本发明通过结构的设计以及材料的选择，解决了现有同类器件散热和栅电极漏电严重的问题，提高了器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN117709265A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311710562.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 燕山大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg；GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联；GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联；场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有设计直观、参数提取过程简单的优点，同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。
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公开(公告)号：CN116314174B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211103655.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻，集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端，发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端，寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型，能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质，准确模拟器件低温特性，适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。
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公开(公告)号：CN114284338A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111493516.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/26 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间，可实现超高频、超高速和低噪声的优异性能。
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公开(公告)号：CN113571474A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110758625.4
申请日：2021-07-05
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的应变黑磷CMOS场效应晶体管包括二氧化硅衬底、二氧化硅外延层、二氧化铪层、应变黑磷层和本征黑磷层、二氧化铪栅介质层、源漏电极和栅电极；二氧化铪层使用激光辅助结晶方法生长单层黑磷，经高温退火铪原子扩散至单层黑磷产生双轴压应力，得到作为NMOS沟道的应变黑磷层；在二氧化硅外延层上生长作为PMOS沟道的单层本征黑磷层；本发明通过对单层黑磷施加双轴压应力，实现本征黑磷从p型半导体到n型半导体的转换，制备一种应变黑磷COMS场效应晶体管。该晶体管易于与传统硅基半导体器件集成，单层本征黑磷和在双轴压应力下的单层应变黑磷具有较高的载流子迁移率，能有效抑制短沟道效应。
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