公开(公告)号：CN110867486A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911141243.6

申请日：2019-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李洪岩 ,  耿欣 ,  王冠宇 ,  蒋巍 ,  乔世峰 ,  耿连民

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/267 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1-xGaxP(x＝0～1)作为SiGe-HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。

公开(公告)号：CN110867486B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201911141243.6

申请日：2019-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李洪岩 ,  耿欣 ,  王冠宇 ,  蒋巍 ,  乔世峰 ,  耿连民

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/267 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1‑xGaxP(x＝0～1)作为SiGe‑HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。

公开(公告)号：CN113851526B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202111113203.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  尚建蕊 ,  李作为 ,  关义春 ,  李书林 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  乔世峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请属于半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区，第一方向为由衬底指向P型集电区的方向；鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiC应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力，空穴迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。

公开(公告)号：CN113851526A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111113203.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  尚建蕊 ,  李作为 ,  关义春 ,  李书林 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  乔世峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请属于半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区，第一方向为由衬底指向P型集电区的方向；鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiC应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力，空穴迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。