公开(公告)号：CN108630748B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201810437561.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  杜会静 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1‑xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层‑氮化层‑氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1‑yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。

公开(公告)号：CN114545546B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210036119.9

申请日：2022-01-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李建设 ,  王晓凯 ,  李曙光 ,  卢辉斌 ,  杜会静 ,  韩颖 ,  丁钰鑫 ,  孟潇剑 ,  郭英

IPC: G02B6/02 ,  H04J14/04 ,  G01D5/353

Abstract: 本发明涉及一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器及D型传感器，包括基底材料、高折射率掺杂棒；高折射率掺杂棒位于基底材料内；高折射率掺杂棒包括五根高折射率掺杂棒；第一高折射率掺杂棒位于基底材料的中心位置，第二、三、四、五高折射率掺杂棒按顺序依次分布在第一高折射率掺杂棒的外围；第二、三、四、五高折射率掺杂棒的直径相等，第一高折射率掺杂棒直径大于第二、三、四、五高折射率掺杂棒直径；第二、第三、第四、第五高折射率掺杂棒与第一高折射率掺杂棒的几何中心的距离逐渐增大,对该五芯光纤进行抛磨并在抛磨面镀金后，利用旁芯中传输的LP01模式光与抛磨面上所镀的金发生SPR反应，使该器件在实现模式复用的同时具备传感检测能力。

公开(公告)号：CN104991305A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510411398.2

申请日：2015-07-14

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郝锐 ,  杜会静

IPC: G02B6/02

CPC classification number: G02B6/02333 ,  G02B6/02342

Abstract: 本发明涉及一种椭圆形高双折射软玻璃光子晶体光纤，光纤包括光纤背景材料，光纤的横截面结构包括纤芯和包层，包层由在光纤背景材料中规则分布的、沿光纤轴向延伸的圆形空气孔道和圆形空气孔道间的光纤背景材料构成，纤芯位于光纤的横截面结构的中心区域，包层设置在纤芯外围区域，包层的折射率低于的折射率，其特征是：构成包层中的圆形空气孔道在围绕纤芯的呈放射性分布的椭圆形轮廓上排列，圆形空气孔道在光纤的横截面上投影为圆形空气孔。其优点是：改进了光纤包层中空气孔道的分布方式，增强了结构的不对称性，使光纤具有高双折射效应。同时，提出的光子晶体光纤设计具有容易制备和低损耗的优点。

公开(公告)号：CN117890328A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311546960.3

申请日：2023-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李建设 ,  郭鹏霄 ,  杜会静 ,  李曙光 ,  郭海涛 ,  王瑞多 ,  李兴玮

IPC: G01N21/41 ,  G01K11/32 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明属于特种光纤及其光子器件领域，涉及一种冰壶形双参量宽范围测量PCF传感器及其制造方法，传感器包括光子晶体光纤本体，所述光子晶体光纤本体包括基底材料，基底材料为圆柱体，圆柱体上下侧分别设有上切面、下切面，两切面平行，上切面镀上层金膜用来激发SPR效应，下切面首先镀下层金膜，再在金膜的基础上沉积温敏材料薄层提高温度检测的灵敏性，用来作为温度检测通道；基底材料内设有包层空气孔，所述包层空气孔包括中心空气孔和位于中心空气孔外围的三层空气孔。本发明提供的传感器可以在1.33～1.42范围测量折射率，在‑10℃～100℃范围测量温度。

公开(公告)号：CN117374707A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311546958.6

申请日：2023-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李建设 ,  李兴玮 ,  杜会静 ,  郭海涛 ,  李曙光 ,  王瑞多 ,  郭鹏霄

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/08036

Abstract: 本发明公开了一种产生三种可切换近红外宽带超连续谱的全光纤装置及其产生方法，装置包括模块一、模块二和模块三，模块一包括连续光源、波分复用器、掺铒光纤、偏振控制器、偏振相关隔离器、单模光纤、光耦合器组成，用于产生脉冲并切换脉冲种类，从而切换输出的超连续谱的种类；模块二由连续光源、波分复用器、掺铒光纤、偏振无关隔离器、高非线性光纤组成，用于放大脉冲功率并泵浦高非线性光纤产生超连续谱；模块三包括光耦合器、光谱仪、示波器和自相关仪，用于观察模块一中的脉冲情况。本发明通过切换模块一的脉冲种类，可以切换输出的超连续谱的种类；通过调整模块二中连续光源的功率，可以调节超连续谱的输出功率和宽度。

公开(公告)号：CN114545546A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210036119.9

申请日：2022-01-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李建设 ,  王晓凯 ,  李曙光 ,  卢辉斌 ,  杜会静 ,  韩颖 ,  丁钰鑫 ,  孟潇剑 ,  郭英

IPC: G02B6/02 ,  H04J14/04 ,  G01D5/353

Abstract: 本发明涉及一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器及D型传感器，包括基底材料、高折射率掺杂棒；高折射率掺杂棒位于基底材料内；高折射率掺杂棒包括五根高折射率掺杂棒；第一高折射率掺杂棒位于基底材料的中心位置，第二、三、四、五高折射率掺杂棒按顺序依次分布在第一高折射率掺杂棒的外围；第二、三、四、五高折射率掺杂棒的直径相等，第一高折射率掺杂棒直径大于第二、三、四、五高折射率掺杂棒直径；第二、第三、第四、第五高折射率掺杂棒与第一高折射率掺杂棒的几何中心的距离逐渐增大,对该五芯光纤进行抛磨并在抛磨面镀金后，利用旁芯中传输的LP01模式光与抛磨面上所镀的金发生SPR反应，使该器件在实现模式复用的同时具备传感检测能力。

公开(公告)号：CN108630748A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810437561.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  杜会静 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N-Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1-xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层-氮化层-氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1-yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。