-
公开(公告)号：CN107342319B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710473915.8
申请日：2017-06-21
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法，所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延Si集电区、Si1‑xGex基区和Si发射区；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延掺杂C的Si1‑yGey；在Si1‑yGey表面淀积一层多晶硅作为基极，在基极表面热生长一层绝缘层作为基极和发射极的隔离层，在所述的基极绝缘层上淀积多晶硅作为发射极。本发明中复合应力的引入，提高了载流子的迁移率，有效提高了器件的工作速度的同时，也提高了集电区的击穿电压，在实现高速的同时也实现了大功率，可以实现混合高速高压器件的集成，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
