公开(公告)号：CN110867486A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911141243.6

申请日：2019-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李洪岩 ,  耿欣 ,  王冠宇 ,  蒋巍 ,  乔世峰 ,  耿连民

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/267 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1-xGaxP(x＝0～1)作为SiGe-HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。

公开(公告)号：CN113571474A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110758625.4

申请日：2021-07-05

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  关义春 ,  耿欣 ,  李书林 ,  蒋巍 ,  贺博

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的应变黑磷CMOS场效应晶体管包括二氧化硅衬底、二氧化硅外延层、二氧化铪层、应变黑磷层和本征黑磷层、二氧化铪栅介质层、源漏电极和栅电极；二氧化铪层使用激光辅助结晶方法生长单层黑磷，经高温退火铪原子扩散至单层黑磷产生双轴压应力，得到作为NMOS沟道的应变黑磷层；在二氧化硅外延层上生长作为PMOS沟道的单层本征黑磷层；本发明通过对单层黑磷施加双轴压应力，实现本征黑磷从p型半导体到n型半导体的转换，制备一种应变黑磷COMS场效应晶体管。该晶体管易于与传统硅基半导体器件集成，单层本征黑磷和在双轴压应力下的单层应变黑磷具有较高的载流子迁移率，能有效抑制短沟道效应。

公开(公告)号：CN113571474B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202110758625.4

申请日：2021-07-05

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  关义春 ,  耿欣 ,  李书林 ,  蒋巍 ,  贺博

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的应变黑磷CMOS场效应晶体管包括二氧化硅衬底、二氧化硅外延层、二氧化铪层、应变黑磷层和本征黑磷层、二氧化铪栅介质层、源漏电极和栅电极；二氧化铪层使用激光辅助结晶方法生长单层黑磷，经高温退火铪原子扩散至单层黑磷产生双轴压应力，得到作为NMOS沟道的应变黑磷层；在二氧化硅外延层上生长作为PMOS沟道的单层本征黑磷层；本发明通过对单层黑磷施加双轴压应力，实现本征黑磷从p型半导体到n型半导体的转换，制备一种应变黑磷COMS场效应晶体管。该晶体管易于与传统硅基半导体器件集成，单层本征黑磷和在双轴压应力下的单层应变黑磷具有较高的载流子迁移率，能有效抑制短沟道效应。

公开(公告)号：CN113851526B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202111113203.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  尚建蕊 ,  李作为 ,  关义春 ,  李书林 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  乔世峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请属于半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区，第一方向为由衬底指向P型集电区的方向；鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiC应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力，空穴迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。

公开(公告)号：CN113851526A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111113203.8

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  尚建蕊 ,  李作为 ,  关义春 ,  李书林 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  乔世峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请属于半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种双极结型晶体管及其制备方法。现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的n型Si衬底、p+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体n型基区、SiC应变外延层和P型集电区，第一方向为由衬底指向P型集电区的方向；鳍型半导体n型基区上设置有P型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiC应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiC应变外延层对鳍型半导体n型基区和P型集电区同时施加单轴压应力，空穴迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。

公开(公告)号：CN111244169B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010215352.4

申请日：2020-03-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  常晓伟 ,  王冠宇 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。

公开(公告)号：CN111490096A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。

公开(公告)号：CN111244169A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010215352.4

申请日：2020-03-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。

公开(公告)号：CN112874456B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110036153.1

申请日：2021-01-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐超 ,  刘元慧 ,  周春宇 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  马明 ,  董希言

IPC: B60R16/037

Abstract: 本发明提供一种智能汽车调节方法，其包括以下步骤：S1、采集人体特征信息，并进行信息比对，实现解锁和启动功能：对采集的指纹进行比对，如果识别通过，则实现解锁；S2、对指纹按压时的实时压力进行采集，当实时压力超过预先设置的压力阈值时，汽车在指纹解锁的基础上一键启动；S3、在指纹识别通过及汽车一键启动的基础上对车内设施进行初步调节；S4、采用机器学习方法，通过不断学习和比对，实现车辆的智能调节；S5、根据机器学习组件的结果，实现车内设施的进一步调节。其能够通过实时学习，基于驾驶员的习惯，建立特征模型，不断学习更正，达到最好的驾驶效果并根据天气对驾驶参数进行智能调节，保障驾驶员的驾驶安全。

公开(公告)号：CN111490096B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。