公开(公告)号：CN117503261A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311673223.X

申请日：2023-12-07

Applicant: 燕山大学 ,  燕山大学深圳研究院

Inventor： 赵延治 ,  张声荣 ,  赵鸿飞 ,  陈奕丹 ,  王鹏

IPC: A61B17/16 ,  A61B17/14 ,  A61B34/30 ,  A61B34/00 ,  A61B17/32

Abstract: 本发明提供一种俯卧位椎板磨削机器人，其包括升降组件、回转组件、俯仰组件和进给组件，所述回转组件设置在升降组件的上方，所述俯仰组件设置在回转组件的上方，所述进给组件设置在俯仰组件的一侧位置，所述回转组件和俯仰组件均设置在保护罩的内部，在升降组件的下方设有福马脚轮。本发明俯仰组件中的铰链四杆机构对末端手术器械承载能力大，超声骨钻提供磨削运动的回转自由度和轴向振动，通过各组件相互配合，实现精准的空间角度定位和精细椎板磨削作业，满足在俯卧位姿下的椎板磨削操作要求。

公开(公告)号：CN113838923B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111113232.4

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  尚建蕊 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩 ,  关义春 ,  赵鸿飞

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种三维应变Si双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的p型Si衬底、n+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，第一方向为由衬底指向n型集电区的方向；鳍型半导体p型基区上设置有n型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiGe应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiGe应变外延层对鳍型半导体p型基区和n型集电区同时施加单轴拉应力。电子迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。

公开(公告)号：CN113838923A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111113232.4

申请日：2021-09-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  尚建蕊 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩 ,  关义春 ,  赵鸿飞

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 现有双极结型晶体管增益小特征频率小，并要求小尺寸化。本申请提供了一种三维应变Si双极结型晶体管，在第一方向上，包括依次设置的p型Si衬底、n+发射区、SiO2浅沟道隔离结构、SiO2层、鳍型半导体p型基区、SiGe应变外延层和n型集电区，第一方向为由衬底指向n型集电区的方向；鳍型半导体p型基区上设置有n型集电区；SiO2层上设置有发射极接触，SiGe应变外延层上设置有基极接触，P型集电区上设置有集电极接触；SiGe应变外延层对鳍型半导体p型基区和n型集电区同时施加单轴拉应力。电子迁移率增加，减小基区与集电区渡越时间，增加器件的特征频率。