公开(公告)号：CN114284338B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202111493516.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  张静 ,  包建辉 ,  尚建蕊 ,  徐超 ,  孙继浩 ,  王冠宇

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/82 ,  H10D64/23 ,  H10D10/01 ,  H10D10/80

Abstract: 本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间，可实现超高频、超高速和低噪声的优异性能。

公开(公告)号：CN114284338A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111493516.0

申请日：2021-12-08

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  李作为 ,  张静 ,  包建辉 ,  尚建蕊 ,  徐超 ,  孙继浩 ,  王冠宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间，可实现超高频、超高速和低噪声的优异性能。