公开(公告)号：CN119486192A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411661217.7

申请日：2024-11-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王丹英 ,  贾仁需 ,  刘永 ,  梁昊春 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D62/82 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET及其制备方法，属于微电子技术领域。功率MOSFET，包括自下而上设置的衬底层、AlN缓冲层、Ga2O3缓冲层和Ga2O3外延层；其中，Ga2O3外延层的顶面设置有沟槽，沟槽中设置有氧化隔离层；漏电极设置在Ga2O3外延层的一侧与氧化隔离层相邻；源电极设置在Ga2O3外延层的另一侧中间区域；源电极两侧设置有第二沟槽；第二沟槽上自下而上设置有NiO层和绝缘栅介质层；绝缘栅介质层上设置有非平面栅结构的栅电极；第二沟槽和栅电极周围的间隙部分填充有第一氧化隔离层。本发明通过结构的设计以及材料的选择，解决了现有同类器件散热和栅电极漏电严重的问题，提高了器件的耐压性能。