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公开(公告)号：CN114121923A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010898625.X
申请日：2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/367 , H02M7/00
Abstract: 本发明提供一种功率半导体模块封装结构，包括：封装基板、封装管壳、半桥型功率半导体模块；封装管壳与封装基板紧固连接，形成容纳空间；半桥型功率半导体模块设置在容纳空间内；半桥型功率半导体模块包括并联设置在封装基板上的配对的上开关管和下开关管，且上开关管和下开关管在水平方向相对设置；上开关管包括键合在基板上的第一衬板和键合在第一衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；下开关管包括键合在基板上的第二衬板和键合在第二衬板上的功率半导体芯片组、主功率端子和辅助控制端子；第一衬板和第二衬板之间通过主功率端子、辅助控制端子和模块级键合线连接，主功率端子和辅助控制端子的顶部外延伸出封装管壳。
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公开(公告)号：CN113035847A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911355472.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。
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公开(公告)号：CN111916422A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010668595.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L25/04 , H01L25/07 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。
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公开(公告)号：CN113035787B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911359251.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/367 , H01L21/52 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。
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公开(公告)号：CN117121185A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202180096979.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
Inventor： R·A·辛普森 , 迈克尔·大卫·尼科尔森 , 王彦刚
IPC: H01L23/051
Abstract: 提供了一种半导体器件(1)，包括：多个半导体芯片(20)；布置在半导体芯片(20)相对侧的第一导体(4)和第二导体(5)，第二导体(5)包括多个柱(10)，每个半导体芯片(20)包括：面向第一导体的第一表面；布置在第一表面上并电连接到第一导体的第一电极；与第一表面相对的第二表面；布置在第二表面上并电连接到相应的一个柱的第二电极、以及控制电极，其布置在第二表面上，并且被配置为切换在第一电极和第二电极之间流动的电流；电路板(15)，包括由多个柱(10)贯穿的开口(32)，电路板(15)还包括电绝缘层(12)、设置在电绝缘层的相对表面上的第一导电膜和第二导电膜，并且第一导电膜被配置为形成包括第一接触焊盘(13)的第一布线图案，第二导电膜被配置为形成包括第二接触焊盘(14)的第二布线图案；多个电连接器(16)，其电连接半导体芯片(20)的控制电极和相应的第一接触焊盘(13)，并被配置为向电路板(15)施加压力；以及多个导电隔离物(25)，其固定地连接到第二导体(5)或相应的第二接触焊盘(14)，并且其中第二接触焊盘(14)通过压力经由导电隔离物(25)电连接到第二导体(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599859B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910130201.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种具有过压保护功能的晶闸管及制造方法，晶闸管包括：依次设置的由第一导电类型半导体材料制成的第一导电层、由第二导电类型半导体材料制成的衬底层和由第一导电类型半导体材料制成的第二导电层；在第一导电层的远离衬底层的一面上设置的阳极金属电极；在第二导电层内间隔设置的由第二导电类型半导体材料制成的发射极区；及在第二导电层上对应发射极区分别设置的浮空金属电极和阴极金属电极，衬底层向第二导电层的方向延伸将第二导电层分隔成两个第二导电区，两个第二导电区内均设置发射极区；两个第二导电区均包括基部和沿基部朝向另一第二导电区延伸的延伸部。本发明的结构简单，能够与IGBT模块并联后保护IGBT模块不被过电压损坏。
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公开(公告)号：CN116034464A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180042312.7
申请日：2021-08-27
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/051
Abstract: 提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，包括：第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)以及管状壳体元件(8)，第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)布置在壳体的相反侧面，管状壳体元件(8)布置在第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间并且被构造为将第一壳体电极(4)与第二壳体电极(5)彼此电绝缘；至少一个半导体芯片(20)，其布置在壳体内第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间；以及金属防爆护罩(12)，其布置在壳体内，其中，金属防爆护罩(12)被构造为延伸进入在至少一个半导体芯片(20)和管状壳体元件(8)之间形成的空间，使得金属防爆护罩围绕至少一个半导体芯片(20)。
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公开(公告)号：CN115989581A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180042335.8
申请日：2021-07-19
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置1，包括：壳体，其包括布置在壳体的相对表面的第一壳体电极5和第二壳体电极4，其中，第一壳体电极5包括电极板；以及多个半导体单元30，布置在壳体内第一壳体电极4和第二壳体电极5之间并且通过压力耦合到第一壳体电极和第二壳体电极中的至少一个；热耦合器17，布置在壳体内多个半导体单元30与第一壳体电极5的电极板之间；柱体的第一阵列10，在多个半导体单元30与热耦合器17之间延伸，并且分别电耦合到多个半导体单元30；以及柱体的第二阵列18，在热耦合器17与第一壳体电极5的电极板之间延伸，其中，柱体的第一阵列10经由柱体的第二阵列18电耦合到电极板；其中，热耦合器17被配置为在至少一些柱体的第一阵列10之间延伸，以便将至少一些柱体的第一阵列10彼此热耦合。
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公开(公告)号：CN115836391A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180042337.7
申请日：2021-05-28
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，该壳体包括壳体电极(4)；以及被布置在壳体内的至少一个半导体芯片(20)；其中，壳体电极(4)包括可变形部分(15)，并且可变形部分(15)被构造为当壳体的内部与外部之间的压力差超过阈值压差或可变形部分处的温度超过阈值温度时发生变形，以便将壳体从气密密封的壳体转变为与外部流体连通的开放壳体。
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公开(公告)号：CN115769368A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180042339.6
申请日：2021-05-28
Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司
Inventor： R·A·辛普森 , 迈克尔·大卫·尼科尔森 , 王彦刚
IPC: H01L23/051 , H01L23/367 , H01L23/00 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体器件(1)，包括：壳体，其包括布置在该壳体的相对侧的第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)；以及多个半导体单元(30)，其布置在壳体内该第一和第二壳体电极(4、5)之间，并通过压力耦合到该第一和第二壳体电极(4、5)中的至少一个，其中，该多个半导体单元(30)包括第一半导体单元(30‑1)和相邻该第一半导体单元(30‑1)的第二半导体单元(30‑2)；其中，该第一和/或第二壳体电极包括多个支柱(10)，并且该多个支柱包括分别电耦合到该第一半导体单元(30‑1)和第二半导体单元(30‑2)的第一支柱(10‑1)和第二支柱(10‑2)，并且其中，该第一壳体电极(4)的表面(16)包括凹槽(15)，并且该凹槽(15)的宽度(W1)小于该第一支柱(10‑1)和第二支柱(10‑2)之间的间距(S2)。
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