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公开(公告)号:CN117737716A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311217428.7
申请日:2023-09-20
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/54 , C23C18/34 , C23C30/00 , H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 提供一种可以低成本地确保镍镀膜和银镀膜之间的密合性,并具有良好的耐热性的用于银烧结连接的镀覆方法、用于银烧结连接的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件以及具备该功率模块用基板的半导体装置。提供一种用于银烧结连接的镀覆方法,其包括以下工序:阻挡层形成工序,其在被镀覆面的上侧形成无电解镍镀膜;最表层形成工序,其在无电解镍镀膜的上侧,作为被镀覆面的最表层,用置换型无电解镀银浴形成无电解银镀膜。
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公开(公告)号:CN109962053A
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201811321184.6
申请日:2018-11-07
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L21/48 , C23C18/36
Abstract: 本发明的目的在于,提供:即使进行高温侧200℃以上的TCT也防止覆膜中产生裂纹的耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液。一种耐热用功率模块基板,其特征在于,其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板,所述功率模块基板至少具备:基材,其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成;电路,其直接形成于前述基材上或借助钎料形成于前述基材上,且由铜或铝形成;和,镀覆膜,其形成于前述电路表面,前述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜,前述镀覆膜中的磷的含有率为10.5~13重量%。
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公开(公告)号:CN101469420A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200810190830.X
申请日:2008-04-16
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44 , C04B41/88 , H05K3/24 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/244 , C23C18/31 , C23C18/44 , H01L2924/0002 , H05K2203/072 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及化学镀金方法及电子部件。所述方法通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用通式R1-NH-C2H4-NH-R2或R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4表示的胺化合物的化学镀金浴的化学镀金,形成由化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜形成的镀敷膜叠层体的化学镀盒膜的一部分或全部。本发明的方法不需要准备快速镀金浴和加厚镀金浴二种浴液,只用一种镀金浴就能形成适合于焊料接合或引线接合的各种膜厚的镀金膜,由于能以一种镀浴,用一个工序就能高效地形成膜厚0.15μm以上的化学镀盒膜,所以工序能简单化,对成本有利。
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公开(公告)号:CN116103641A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211402103.1
申请日:2022-11-09
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/32 , C23C18/42 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够低价地确保镍镀膜与银镀膜的密合性且具有良好的耐热性的用于银烧结接合的镀覆方法、用于银烧结接合的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件及具备该功率模块用基板的半导体装置。本发明提供一种用于银烧结接合的镀覆方法,其包括以下工序:阻挡层形成工序,其在被镀覆面的上侧形成化学镍镀膜;中间层形成工序,其在化学镍镀膜的上侧形成化学银底镀膜;最表层形成工序,其在被镀覆面的最表层形成化学银镀膜。
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公开(公告)号:CN103774127A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201410049533.9
申请日:2006-09-22
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1651 , C23C18/54 , H01L24/43 , H01L24/745 , H01L2224/45664
Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性,并且几乎不会发生浴分解。因此,本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外,这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能,因为即使当它使用了很长时间,它也不影响镀层的性能。
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公开(公告)号:CN101469420B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200810190830.X
申请日:2008-04-16
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44 , C04B41/88 , H05K3/24 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/244 , C23C18/31 , C23C18/44 , H01L2924/0002 , H05K2203/072 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及化学镀金方法及电子部件。所述方法通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用通式R1-NH-C2H4-NH-R2或R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4表示的胺化合物的化学镀金浴的化学镀金,形成由化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜形成的镀敷膜叠层体的化学镀金膜的一部分或全部。本发明的方法不需要准备快速镀金浴和加厚镀金浴二种浴液,只用一种镀金浴就能形成适合于焊料接合或引线接合的各种膜厚的镀金膜,由于能以一种镀浴,用一个工序就能高效地形成膜厚0.15μm以上的化学镀金膜,所以工序能简单化,对成本有利。
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公开(公告)号:CN101319319B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200710307630.3
申请日:2007-12-06
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/42
Abstract: 一种含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛焦亚硫酸盐加合物、和一种由R1-NH-C2H4-NH-R2或R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4所表征的胺类化合物的无电镀金浴(其中R1至R4代表-OH、-CH3、-CH2OH、-C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、-CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH2OH)、-C2H4NH(C2H4OH)、-CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、-C2H4N(CH2OH)2或者-C2H4N(C2H4OH)2,且n是一个1到4的整数)。可形成外观良好的金镀层,而不会由于镍表面晶间腐蚀的进行而导致外观不良。
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