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公开(公告)号:CN116103641A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211402103.1
申请日:2022-11-09
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/32 , C23C18/42 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够低价地确保镍镀膜与银镀膜的密合性且具有良好的耐热性的用于银烧结接合的镀覆方法、用于银烧结接合的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件及具备该功率模块用基板的半导体装置。本发明提供一种用于银烧结接合的镀覆方法,其包括以下工序:阻挡层形成工序,其在被镀覆面的上侧形成化学镍镀膜;中间层形成工序,其在化学镍镀膜的上侧形成化学银底镀膜;最表层形成工序,其在被镀覆面的最表层形成化学银镀膜。
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公开(公告)号:CN115404469A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210555723.2
申请日:2022-05-19
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液。本发明提供的化学镀Co‑W镀膜中的W含量为35~58质量%,且所述化学镀Co‑W镀膜的膜厚为0.05μm以上。本发明的化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。
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公开(公告)号:CN118854425A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410421678.0
申请日:2024-04-09
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电解镀铜液的再生处理方法,其使电解镀铜液中的有机杂质的浓度降低至镀液可继续使用的基准以下,能够使镀液再生,无需重新制备另一镀液。电解镀铜液含有铜离子和选自增亮剂、载体以及均镀剂所构成的组中的至少一种添加剂。电解镀铜液的再生处理方法至少包括紫外线臭氧处理工序和活性炭处理工序,在紫外线臭氧处理工序中,将所述电解镀铜液氧化,分解该电解镀铜液中的有机杂质;在活性炭处理工序中,使已进行了紫外线臭氧处理工序的电解镀铜液与活性炭接触,从电解镀铜液中除去有机杂质。
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公开(公告)号:CN117737716A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311217428.7
申请日:2023-09-20
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/54 , C23C18/34 , C23C30/00 , H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 提供一种可以低成本地确保镍镀膜和银镀膜之间的密合性,并具有良好的耐热性的用于银烧结连接的镀覆方法、用于银烧结连接的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件以及具备该功率模块用基板的半导体装置。提供一种用于银烧结连接的镀覆方法,其包括以下工序:阻挡层形成工序,其在被镀覆面的上侧形成无电解镍镀膜;最表层形成工序,其在无电解镍镀膜的上侧,作为被镀覆面的最表层,用置换型无电解镀银浴形成无电解银镀膜。
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公开(公告)号:CN111295466A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201880071737.9
申请日:2018-07-18
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 化学镀镍-磷-钴浴含有水溶性镍盐、次磷酸盐、含钴化合物以及重金属化合物,还含有选自由乙炔化合物、碘化物离子源或碘酸根离子源、以及含有一个以上硝基的含硝基芳香族化合物所组成的组中的至少一种。乙炔化合物的浓度为10~120mg/L,碘化物离子源或碘酸根离子源的浓度为10~4000mg/L,含硝基芳香族化合物的浓度为0.1~5000mg/L。
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公开(公告)号:CN115432871A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202210404730.2
申请日:2022-04-18
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C02F9/08 , C02F103/16 , C02F101/16 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种无电解镀覆废液的处理方法及无电解镀覆废液的处理系统。无电解镀覆废液至少含有金属离子、氨、还原剂、还原剂废物及络合剂,无电解镀覆废液的处理方法包括:电解无电解镀覆废液而去除金属离子的电解处理工序;使进行了电解处理工序的无电解镀覆废液中的氨挥发而去除氨的氨挥发工序;氧化进行了氨挥发工序的无电解镀覆废液,分解还原剂、还原剂废物及络合剂的紫外线·臭氧处理工序;以及通过向进行了紫外线·臭氧处理工序的无电解镀覆废液中添加钙化合物,使磷酸盐沉淀而去除磷酸盐的磷酸盐去除工序。
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