公开(公告)号：CN110718523A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910634802.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  小田幸典 ,  柴田利明 ,  伊井义人 ,  神崎翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。

公开(公告)号：CN118256901A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311621008.5

申请日：2023-11-30

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 伊井义人 ,  丸尾洋一 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明公开了一种化学镀钌浴，其至少含有钌化合物、还原剂以及稳定剂，还原剂是氨硼烷化合物及次磷酸钠中的至少一种，稳定剂由羟胺化合物和胺类化合物构成，羟胺化合物是硫酸羟胺及氯化羟胺中的至少一种。该化学镀钌浴使用作为一般还原剂的氨硼烷化合物或次磷酸钠，能够提高浴稳定性，并且钌的析出性优异。

公开(公告)号：CN115404469A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210555723.2

申请日：2022-05-19

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 井口昭司 ,  板村旭朗 ,  福井翔一 ,  小田幸典 ,  佐藤雅亮 ,  伊井义人 ,  大久保洋树

IPC: C23C18/50 ,  C23C18/48

Abstract: 本发明提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液。本发明提供的化学镀Co‑W镀膜中的W含量为35～58质量％，且所述化学镀Co‑W镀膜的膜厚为0.05μm以上。本发明的化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。