公开(公告)号：CN117737716A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311217428.7

申请日：2023-09-20

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 大久保洋树 ,  小田幸典 ,  村山敬祐 ,  佐藤雅亮

IPC: C23C18/54 ,  C23C18/34 ,  C23C30/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 提供一种可以低成本地确保镍镀膜和银镀膜之间的密合性，并具有良好的耐热性的用于银烧结连接的镀覆方法、用于银烧结连接的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件以及具备该功率模块用基板的半导体装置。提供一种用于银烧结连接的镀覆方法，其包括以下工序：阻挡层形成工序，其在被镀覆面的上侧形成无电解镍镀膜；最表层形成工序，其在无电解镍镀膜的上侧，作为被镀覆面的最表层，用置换型无电解镀银浴形成无电解银镀膜。

公开(公告)号：CN116103641A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211402103.1

申请日：2022-11-09

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 大久保洋树 ,  小田幸典 ,  村山敬祐 ,  佐藤雅亮

IPC: C23C18/32 ,  C23C18/42 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够低价地确保镍镀膜与银镀膜的密合性且具有良好的耐热性的用于银烧结接合的镀覆方法、用于银烧结接合的镀膜、具备该镀膜的功率模块用基板、具备该镀膜的半导体元件及具备该功率模块用基板的半导体装置。本发明提供一种用于银烧结接合的镀覆方法，其包括以下工序：阻挡层形成工序，其在被镀覆面的上侧形成化学镍镀膜；中间层形成工序，其在化学镍镀膜的上侧形成化学银底镀膜；最表层形成工序，其在被镀覆面的最表层形成化学银镀膜。