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公开(公告)号：CN100449787C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610009024.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L2924/0002 , Y10S977/774 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。
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公开(公告)号：CN101159140A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710186901.4
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
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公开(公告)号：CN101055824A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
Abstract: 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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公开(公告)号：CN1830561A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004432.5
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: B01J37/347 , B01D53/945 , B01J21/185 , B01J27/22 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J37/0217 , B01J37/0225 , B01J37/0238 , B82Y30/00 , Y02T10/22
Abstract: 本发明提供催化剂活性高的催化剂结构，并提供功能强的排气处理系统。本发明的催化剂结构具有载体、在前述载体上形成的毫微粒、和在前述毫微粒上形成的催化剂粒子，构成前述载体的材料的晶格常数与构成前述毫微粒的材料的晶格常数之差是1％～16％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734568A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087477.9
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
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公开(公告)号：CN115362060B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202080099280.X
申请日：2020-10-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不含6价铬的、耐腐蚀性和耐磨损性优异的叠层体以及叠层体的制造方法。为了解决上述技术问题，本发明所涉及的叠层体的特征在于：包括基材和将两层以上的金属覆膜叠层而成的覆膜叠层部，在相邻的金属覆膜之间具有界面层，覆膜叠层部含有第一金属元素和第二金属元素，该第一金属元素以Ni、Cr、Co、W中的至少一种元素为主要成分，该第二金属元素是内聚能比第一金属元素小的金属元素，界面层所含的第二金属元素的含有比大于相邻的金属覆膜所含的第二金属元素的含有比。
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公开(公告)号：CN101667563B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200910166793.3
申请日：2009-08-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
IPC: H01L23/48 , H01L23/29 , H01L21/48 , H01L21/50 , C08L67/00 , C08K5/5435 , C08G63/695
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3142 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/78301 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高引线和密封体树脂(模树脂)的粘合性、不引起剥离、可靠性高的半导体器件。所述半导体器件具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分；所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和/或具有环己烷环的化合物；在所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。
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公开(公告)号：CN102005418A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010254717.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/295 , H01L23/49568 , H01L23/49586 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，是在具有半导体基片、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、把该半导体基片密封的密封体的半导体装置中，提供一种上述引线与密封体(模制密封体)的粘合性提高，不产生剥离的半导体装置。在具有半导体基片(5)、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线(3)、把该半导体基片密封的密封体(2)的半导体装置中，为了提高上述引线(3)与密封体(模制密封体)的粘合性，作为引线(3)的表面材料与密封体(2)的组合，采用晶格整合性良好的材料组合，采用并苯类作为主构成材料的密封体(2)。
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