-
公开(公告)号：CN1173011A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN97111416.1
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定型或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
-
公开(公告)号：CN1146589A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN96110204.7
申请日：1996-06-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/3996 , Y10S428/90
Abstract: 磁记录媒体的磁性层采用从一组氧化物及氮化物中选出的至少一种非磁性化合物及以Co和Pt为主要成分的磁性材料的混合物构成，且该磁性层内的Pt对Co的克分子比为特定值，通过采用磁阻效应型再生用磁头，可获得高的S/N和低的误码率，能以每平方英寸1千兆位以上的高记录密度进行记录再生，能实现可靠性高的磁存储器。
-
公开(公告)号：CN1082219C
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN96110204.7
申请日：1996-06-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/656 , G11B5/82 , G11B2005/3996 , Y10S428/90
Abstract: 磁记录媒体的磁性层采用从一组氧化物及氮化物中选出的至少一种非磁性化合物及以Co和Pt为主要成分的磁性材料的混合物构成，且该磁性层内的Pt对Co的克分子比为特定值，通过采用磁阻效应型再生用磁头，可获得高的S/N和低的误码率，能以每平方英寸1千兆位以上的高记录密度进行记录再生，能实现可靠性高的磁存储器。
-
公开(公告)号：CN1136693A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN96102114.4
申请日：1996-02-02
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明为一种磁存储装置，具有在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置，用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部，并且通过使磁记录媒体的多个磁性层含有结晶方位不同的结晶粒，便可进行高密度的信息的记录再生，从而可以提高可靠性。
-
公开(公告)号：CN100356451C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510087477.9
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1492398A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02149520.3
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
-
公开(公告)号：CN1136544C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN97111416.1
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
-
公开(公告)号：CN1181575A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97122430.7
申请日：1997-11-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/8404 , Y10T428/1266 , Y10T428/12667
Abstract: 一种磁记录介质,它具有:第一底涂层41、41’,它们直接或通过基底面底涂层而形成在基底40上;第二底涂层42、42’,它们直接形成在第一底涂层41、41’上;磁膜43、43’,它们被形成在第二底涂层42、42’上;以及,保护膜44、44’,它们被形成磁膜43、43’上。具有大量的氧的团散布在第一和第二底涂层的界面上。较好地,第一底涂层用包括两种元素的合金制成—这两种元素的氧化物形成标准自由能ΔG°之差在250℃的温度下是很大的。
-
公开(公告)号：CN101159140A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710186901.4
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
-
公开(公告)号：CN1734568A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087477.9
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.032 seconds)
