公开(公告)号：CN101009256A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710006749.7

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 ,  西村朝雄 ,  宫本俊夫 ,  田中英树 ,  三浦英生

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

公开(公告)号：CN1207767C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。

公开(公告)号：CN1574431A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061666.4

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岩崎富生 ,  三浦英生

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/90 ,  H01M4/92 ,  H01M8/00 ,  H01M8/04

CPC classification number: H01M4/926 ,  F01N3/2053 ,  F01N13/009 ,  F01N13/0093 ,  H01M4/86 ,  H01M4/8636 ,  H01M4/90 ,  H01M4/921 ,  H01M2008/1095 ,  Y02E60/324

Abstract: 提供一种催化剂结构体和具有催化剂结构体的燃料电池，可以提高催化剂结构体的催化剂活性，且提高燃料电池的电池输出。该催化剂结构体的特征在于具有：导电膜、和在上述导电膜上形成的催化剂粒子，且构成上述导电膜的材料的晶格常数和构成上述催化剂粒子的材料的晶格常数的差≤16％。

公开(公告)号：CN1538515A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1516261A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03130602.0

申请日：1998-02-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 石冢典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  松田安司 ,  吉田安子 ,  山本裕彦 ,  小林正道 ,  高松朗 ,  清水博文 ,  福田和司 ,  堀部晋一 ,  野添俊夫

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/76235 ,  H01L29/78

Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN1293824A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1275801A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00117939.X

申请日：2000-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  吉田安子 ,  铃木範夫 ,  渡部浩三 ,  金光賢司

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/0657

Abstract: 在衬底上形成衬垫氧化膜和防氧化膜,除去部分防氧化膜和衬垫氧化膜露出衬底,后退衬垫氧化膜,刻蚀衬底露出面,形成规定深度沟槽,后退衬垫氧化膜,氧化沟槽部分,向其内部埋入埋入绝缘膜,除去防氧化膜上的埋入绝缘膜和防氧化膜, 除去衬垫氧化膜,在氧化沟槽部分前,各向同性刻蚀和后退衬垫氧化膜使沟槽上端部分圆角化具有曲率,使氧化工序仅仅进行1次,制造不会使沟槽上端部分的晶体管的电性不合格的半导体装置。

公开(公告)号：CN1054235C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN95117312.X

申请日：1995-09-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  守部俊二 ,  加藤久幸 ,  小池淳义 ,  池田修二 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/22 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/182 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包含多晶硅薄膜的半导体器件，在这种多晶硅薄膜中硅薄膜的晶粒主要具有圆柱形结构且各个晶粒的晶向几乎为均一的方向。这种膜可以这样制作；在基底薄膜的界面上先淀积一层无掺杂硅薄膜或者先淀积一层杂质层，然后淀积掺杂的硅薄膜，如果需要，接下来进行热处理使之多晶化。

公开(公告)号：CN1250227A

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN99120218.X

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清水浩也 ,  西村朝雄 ,  宫本俊夫 ,  田中英树 ,  三浦英生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供可靠性高,能够以低噪声进行高速动作的半导体装置。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c,与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。

公开(公告)号：CN101908480B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201010197514.2

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  三浦英生

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。