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公开(公告)号：CN100474558C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1516261A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03130602.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1881556A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1284224C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02157188.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1248346A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN98802666.X
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生,制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件,此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶,从而优化了元件隔离沟槽的形状,并使器件更精细,且改善了器件的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1516260A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02157188.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1112727C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN98802666.X
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN100521146C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03130602.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1301554C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN99120218.X
申请日：1999-09-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供可靠性高，能够以低噪声进行高速动作的半导体器件。在同一个面内形成电源布线1003a、接地布线1003b和电信号布线1003c，与信号布线至少一部分的两侧相邻地形成电源布线或者接地布线。
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公开(公告)号：CN1293634C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02152632.X
申请日：2002-11-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/04 , H01L27/108 , H01L29/772 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/7842 , H01L21/823412 , H01L21/823481 , H01L27/10873 , H01L27/10897
Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。
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