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公开(公告)号：CN1163484A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97103057.X
申请日：1997-03-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔、爱斯、爱工程股份有限公司
IPC: H01L27/06
CPC classification number: G11C7/02 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C7/1042 , G11C7/1072 , H01L27/10897
Abstract: 具有多条I/O线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中，用它们进行半导体集成电路装置设计。进而，把具有多条I/O线的存储器芯和逻辑电路配置成各I/O线为同一方向，在I/O线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级数的开关群导通，则存储器芯的I/O线和逻辑电路的I/O线连通形成传送图形。进而，以放大器模块、存储体模块、电源模块等功能块的组合构成存储器芯、行序列电路和沿位线方向延伸的多条I/O线。
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公开(公告)号：CN101465156A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184164.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种信息存储装置，在固体状的介质的不接近表面的内部，呈三维状配置存储器单元，并使存储器单元具有依存于其空间坐标的电磁波的共振特性。上述介质选择存储器单元的透射共振频率的电磁波的材料。通过观测从介质外部所照射的电磁波的吸收波谱或吸收后的发射波谱，计算存储器单元的三维空间坐标。在利用了电磁波的共振现象的信息存储装置中，兼顾存储数据的高密度化和长期保存性。
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公开(公告)号：CN100336226C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN01823596.4
申请日：2001-12-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L23/5223 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过使用将逻辑电路(LOGIC)内的金属布线和相同层(M3)的金属布线作为电极来利用的MIM电容器，形成DRAM的存储单元电容C3，能够降低工艺成本。通过使用高电介质材料形成电容器，配置在比形成了位线(BL)的布线层更上层上，能够实现高集成化。此外，通过使用2T单元，即使在低电压中工作，也能确保充足的信号量。通过通用模拟(ANALOG)和存储器(MEM)中的形成电容器的工艺，能够用低成本来实现在一个芯片上搭载了逻辑、模拟、存储器的半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN1104695C
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN95104392.7
申请日：1995-04-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C7/1006 , G06F17/10 , G06F17/15 , G06K9/4642
Abstract: 能以高并行度高速进行使用了二维数据运算处理的半导体集成电路，该集成电路具有二维存储阵列(MAR)、通过选择二维存储阵列的字线经数据线并行传送数据的并行数据传送电路(TRC)，用从TRC传送的数据并行进行运算处理的运算电路群(PE)，各运算电路能通过TRC存取上述二维存储阵列中连续的多条字线和数据线，多个相邻的运算电路具有重迭的二维存储阵列的数据线范围，故能对存储在二维存储阵列中的二维数据并行地进行卷积等运算。
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公开(公告)号：CN1095123C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN95119759.2
申请日：1995-11-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06F13/00
CPC classification number: G11C7/1006 , G11C7/10 , G11C8/16
Abstract: 集成于一块半导体芯片上的半导体装置，它包括一个存储单元阵列，多个运算电路和多个数据传送电路。该数据传送电路通过分别给出的读出路径和写入路径在运算电路和存储单元之间传送数据。分别通过读出路径和写入路径，能够在同一时间内分时地从存储单元向运算电路和从运算电路向存储单元传送数据，使得可以更快地完成图象数据处理，而且可以在一旦激活了的字线上连续地处理数据，以此来减少每一个字线的驱动次数，减少功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112034B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201580072023.6
申请日：2015-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06K19/06 , B23K26/00 , B23K26/03 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K26/70 , B41M3/00 , B41M5/26 , G06K1/12 , G06K15/02 , G06K15/12
CPC classification number: G06K15/1276 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0624 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K26/702 , B23K2103/54 , B41M3/00 , B41M5/26 , G06K1/121 , G06K15/023 , G06K15/1271 , G06K19/06037 , G06K19/06178
Abstract: 本发明的目的在于在使用激光对透明介质的内部进行制标时不会损伤美观地提高肉眼观察时或照相机拍摄时的可视性。本发明通过对透明介质的内部照射激光而在介质内部的第一以及第二层上分别形成微小变性区域。各层中的微小变性区域以在二维平面上相互错开的方式配置，参照图1。
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公开(公告)号：CN101425299B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810170700.X
申请日：2008-10-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/0025 , G11B7/24006
Abstract: 本发明提供一种信息存储装置和记录介质，一边使存储区MA在z轴的周围一点一点旋转，一边从与z轴正交的方向对存储区MA照射平行光线，拍摄存储区的投影像。这时，照射的光线具有至少覆盖存储区的xy平面方向的尺寸。根据上述投影像，根据计算机X射线断层摄影术的原理，在运算单元PU通过计算，求出三维分布的小区域的数据和地址。数据的写入将用放在存储区的外部的透镜OL聚光的激光照射所希望的小区域，在相应的小区域内部发生热引起的变性，从而对光的透射率或发光特性施加变化。在将存储信息的小区域配置为x、y、z方向的三维状的信息存储装置中，防止伴随着z方向的存储区的扩大的读出信号的SN比的下降，并且提供一种写入部件。
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公开(公告)号：CN100356571C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN01125141.7
申请日：1997-03-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔、爱斯、爱工程股份有限公司
IPC: H01L27/108 , G11C11/34 , G11C8/00
CPC classification number: G11C7/02 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C7/1042 , G11C7/1072 , H01L27/10897
Abstract: 具有多条I/O线的存储器芯、传送电路用模块以及逻辑库并存储在数据库中，用它们进行半导体集成电路装置设计。进而，把具有多条I/O线的存储器芯和逻辑电路配置成各I/O线为同一方向，在I/O线之间配置由多级开关群构成的传送电路。若一级或少数级数的开关群导通，则存储器芯的I/O线和逻辑电路的I/O线连通形成传送图形。进而，以放大器模块、存储体模块、电源模块等功能块的组合构成存储器芯、行序列电路和沿位线方向延伸的多条I/O线。
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公开(公告)号：CN1624802A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100391.0
申请日：1999-06-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/407 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/1006 , G06F12/0215 , G06F12/0893 , G06F13/161 , G06F2212/3042 , G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C2207/104 , G11C2207/2245
Abstract: 半导体存储器和高速缓存器，为使多存储体的存储器的快速存取(与前存取的字线不同的读出存取)高速化，使用多存储体构成的宏存储器，并将数据保持在各存储体的读出放大器中，当存取命中该保持数据时，输出锁存的数据，从而高速化。即使各存储体有读出放大器高速缓存功能。为进一步提高这种命中率，在存取宏存储器后，存取控制电路先行发生下一地址(加上规定的位移地址)，并把它预先读出到其它存储体的读出放大器中。
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公开(公告)号：CN1185580C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN99108899.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C7/1006 , G06F12/0215 , G06F12/0893 , G06F13/161 , G06F2212/3042 , G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C2207/104 , G11C2207/2245
Abstract: 为使多存储体的存储器的快速存取(与前存取的字线不同的读出存取)高速化，使用多存储体构成的宏存储器，并将数据保持在各存储体的读出放大器中，当存取命中该保持数据时，输出锁存的数据，从而高速化。即使各存储体有读出放大器高速缓存功能。为进一步提高这种命中率，在存取宏存储器后，存取控制电路先行发生下一地址(加上规定的位移地址)，并把它预先读出到其它存储体的读出放大器中。
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