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公开(公告)号:CN102832185B
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201210194926.X
申请日:2012-06-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/427
CPC classification number: H05K1/0201 , F25B39/04 , F28D15/0266 , F28D15/046 , F28F13/187 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H05K7/20318 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供抑制发热开始时的过冲,实现稳定的沸腾开始的沸腾冷却系统。该沸腾冷却系统是一种在与发热体热接触的基座上具有由金属构成的沸腾导热部,上述沸腾导热部与液体制冷剂接触的沸腾冷却系统,上述沸腾导热部在表面下平行设置有多个通过孔或间隙与外部连通的通道,在与上述通道垂直的方向上具备贯通所有的通道的、比通道直径深的槽,在上述槽的上部具备盖板。
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公开(公告)号:CN1123469A
公开(公告)日:1996-05-29
申请号:CN95116994.7
申请日:1995-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立微机系统
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20753
Abstract: 一种可适合于增加了引出脚数目、热可靠性提高了的LSI的树脂密封外壳。该外壳包括:一个具有一支撑和散热底座以及配置在该底座周围的内引线和外引线的引线框;一个带自动键合(TAB)结构;在上述半导体芯片的主表面上的TAB引线,以及用于密封上述TAB结构、支撑和散热底座以及引线框的内引线的模制树脂,其中底座的面积比半导体芯片的大,且上述底座包含位于上述半导体芯片之下的第一狭缝和位于半导体芯片外侧的第二狭缝。
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公开(公告)号:CN1190837C
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN99815785.6
申请日:1999-09-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/4951 , H01L23/49572 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/562 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/274 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置是由包含在电路形成面(1X)上具有电极(1C)的半导体芯片(1),覆盖上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)的树脂(7),和覆盖与上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)相对的背面(1Y)的树脂薄膜(2)构成的。通过这样的构成,可以防止半导体芯片的龟裂。
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公开(公告)号:CN1333921A
公开(公告)日:2002-01-30
申请号:CN99815785.6
申请日:1999-09-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/4951 , H01L23/49572 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/562 , H01L24/27 , H01L2221/68327 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/274 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置是由包含在电路形成面(1X)上具有电极(1C)的半导体芯片(1),覆盖上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)的树脂(7),和覆盖与上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)相对的背面(1Y)的树脂薄膜(2)构成的。通过这样的构成,可以防止半导体芯片的龟裂。
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