半导体器件
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1407724A

    公开(公告)日:2003-04-02

    申请号:CN02129868.8

    申请日:2002-08-20

    CPC classification number: H03K5/1534 H03K3/356113 H03K19/018521

    Abstract: 具备接受第1信号,输出更大振幅的第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件,上述差动型电平变换电路具有:接受第1信号的第1MISFET对;对第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFEET对;锁存要输出的第2信号且具有交叉耦合栅极的第3MISFET对,第2MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFEET对栅极绝缘膜厚,第3MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFET对栅极绝缘膜厚,第2MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFEET对阈值电压的绝对值小,第1MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFET对阈值电压的绝对值小。即便电平变换振幅差大到4倍以上也可以进行高速电平变换。

    量子比特的控制方法和量子计算机

    公开(公告)号:CN116611529A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202211555034.8

    申请日:2022-12-06

    Abstract: 本发明提供一种量子比特的控制方法和量子计算机,其对于共栅极的2个量子比特选择性地进行双量子比特逻辑门操作。量子比特的控制方法在用综合控制的多个势垒晶体管对多对量子比特进行双量子比特运算时,通过对从所述多对量子比特中选择出的量子比特选择性地进行单量子比特运算,来对从所述多对量子比特中选择出的期望的量子比特对选择性地进行双量子比特运算。

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